摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-8页 |
目录 | 第8-12页 |
第一章 绪论 | 第12-34页 |
·半导体化合物材料 | 第12-20页 |
·氮化镓材料 | 第12-16页 |
·砷化镓材料 | 第16-19页 |
·氧化锌材料 | 第19-20页 |
·半导体材料在光电器件中的应用 | 第20-25页 |
·GaN材料在光电器件中的应用 | 第21-22页 |
·GaAs材料在光电器件中的应用 | 第22-24页 |
·ZnO材料在光电器件中的应用 | 第24-25页 |
·LED器件及工艺材料简介 | 第25-28页 |
·LED的发展史 | 第25-26页 |
·LED器件工艺流程及材料 | 第26-28页 |
·选题意义及研究内容 | 第28-29页 |
参考文献 | 第29-34页 |
第二章 气相沉积法合成GaAs/Ga_2O_3复合多晶薄膜 | 第34-44页 |
·引言 | 第34-36页 |
·实验部分 | 第36-37页 |
·薄膜的制备 | 第36页 |
·薄膜的表征实验 | 第36-37页 |
·结果与讨论 | 第37-42页 |
·物相表征 | 第37页 |
·形貌表征 | 第37-38页 |
·光学性能表征 | 第38-40页 |
·薄膜的生长机理探讨 | 第40页 |
·反应条件对薄膜的影响 | 第40-42页 |
·本章小结 | 第42页 |
参考文献 | 第42-44页 |
第三章 CVD法合成多晶氮化镓薄膜 | 第44-68页 |
·引言 | 第44-45页 |
·实验部分 | 第45-47页 |
·实验材料 | 第45-46页 |
·薄膜的制备 | 第46页 |
·薄膜的表征 | 第46-47页 |
·结果与讨论 | 第47-65页 |
·物相表征 | 第47页 |
·形貌和成分表征 | 第47-49页 |
·光学性能表征 | 第49-50页 |
·生长机理分析 | 第50-52页 |
·同样催化条件下衬底对产物的影响 | 第52-53页 |
·无催化条件下衬底对产物的影响 | 第53-55页 |
·反应温度对GaN薄膜的影响 | 第55-59页 |
·氨气流量对GaN薄膜的影响 | 第59-62页 |
·缓冲层对GaN薄膜的影响 | 第62-65页 |
·本章小结 | 第65页 |
参考文献 | 第65-68页 |
第四章 碳热还原法合成氧化锌晶体材料 | 第68-81页 |
·实验部分 | 第69-70页 |
·结果与讨论 | 第70-78页 |
·物相表征 | 第70页 |
·形貌表征 | 第70-72页 |
·生长机理探讨 | 第72-74页 |
·原料配比改变合成氧化锌六方纳米管的研究 | 第74-78页 |
·本章小结 | 第78页 |
参考文献 | 第78-81页 |
第五章 溶胶-凝胶法制备ZnO多晶薄膜 | 第81-97页 |
·实验部分 | 第82-84页 |
·实验材料 | 第82页 |
·实验过程 | 第82-83页 |
·表征实验 | 第83-84页 |
·结果与讨论 | 第84-95页 |
·不同基片上薄膜的物相分析 | 第84-87页 |
·不同基片和温度生长薄膜的微观形貌分析 | 第87-91页 |
·不同基片和温度下生长薄膜的光学性能分析 | 第91-94页 |
·基片种类对ZnO薄膜的影响 | 第94-95页 |
·退火温度对ZnO薄膜的影响 | 第95页 |
·本章小结 | 第95-96页 |
参考文献 | 第96-97页 |
第六章 碳化钒花状分级结构纳米材料 | 第97-108页 |
·引言 | 第97-98页 |
·实验部分 | 第98-99页 |
·样品的制备 | 第98-99页 |
·表征实验 | 第99页 |
·结果与讨论 | 第99-105页 |
·物相和成分分析 | 第99-101页 |
·形貌和微观结构分析 | 第101-102页 |
·形成机理 | 第102-104页 |
·催化分解氨气的效果初探 | 第104-105页 |
·本章小结 | 第105页 |
参考文献 | 第105-108页 |
第七章 碳化硼复合纳米绳的研究 | 第108-119页 |
·引言 | 第108-110页 |
·实验部分 | 第110-111页 |
·结果与讨论 | 第111-116页 |
·物相分析 | 第111页 |
·产物的形貌与微观结构 | 第111-115页 |
·生长基底对碳/碳化硼的影响 | 第115-116页 |
·本章小结 | 第116-117页 |
参考文献 | 第117-119页 |
第八章 结论 | 第119-121页 |
致谢 | 第121-122页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第122-123页 |
博士学位论文独创性说明 | 第123页 |