| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 1.1 SiC_f/Si C复合材料的研究 | 第13-17页 |
| 1.1.1 SiC_f/Si C复合材料简介 | 第13页 |
| 1.1.2 SiC_f/Si C复合材料的应用 | 第13-15页 |
| 1.1.3 纤维/基体界面层 | 第15-17页 |
| 1.2 SiC纳米线的研究 | 第17-21页 |
| 1.2.1 SiC纳米线简介 | 第17页 |
| 1.2.2 SiC纳米线的制备方法 | 第17-21页 |
| 1.3 SiC纳米线增强复合材料的研究 | 第21-25页 |
| 1.3.1 机械混合法 | 第21-22页 |
| 1.3.2 原位生长法 | 第22-25页 |
| 1.4 选题依据与研究内容 | 第25-28页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第25-26页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 实验与研究方法 | 第28-35页 |
| 2.1 实验设备及原料 | 第28-30页 |
| 2.1.1 SiC纤维 | 第28页 |
| 2.1.2 陶瓷先驱体 | 第28-29页 |
| 2.1.3 试剂及其他原料 | 第29页 |
| 2.1.4 实验设备 | 第29-30页 |
| 2.2 实验 | 第30-32页 |
| 2.2.1 研究方案 | 第30页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第30-32页 |
| 2.3 检测与分析 | 第32-35页 |
| 2.3.1 微观测试与表证 | 第32-33页 |
| 2.3.2 复合材料性能测试 | 第33-35页 |
| 第三章 编织件处理方式对SiC纳米线生长的影响 | 第35-46页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 先驱体直接裂解法和SiC微粉辅助法 | 第36-39页 |
| 3.2.1 先驱体直接裂解法制备SiC纳米线 | 第36页 |
| 3.2.2 SiC微粉辅助法制备SiC纳米线 | 第36-39页 |
| 3.3 催化剂辅助法制备SiC纳米线 | 第39-45页 |
| 3.3.1 SiC纤维编织件的改性 | 第40-41页 |
| 3.3.2 改性对引入催化剂的影响 | 第41-44页 |
| 3.3.3 改性对SiC纳米线生长的影响 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 原位生长SiC纳米线工艺优化及机理研究 | 第46-62页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 先驱体对SiC纳米线生长的影响 | 第46-53页 |
| 4.2.1 不同先驱体制备SiC纳米线 | 第47-49页 |
| 4.2.2 先驱体裂解制备SiC纳米线机理 | 第49-53页 |
| 4.3 Ar气流量对SiC纳米线的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 反应温度对SiC纳米线的影响 | 第55-58页 |
| 4.5 保温时间对SiC纳米线的影响 | 第58-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 SiCNWs-SiC_f/SiC复合材料的制备及性能 | 第62-71页 |
| 5.1 引言 | 第62-63页 |
| 5.2 SiCNWs-Si Cf/SiC复合材料的制备 | 第63-65页 |
| 5.3 SiCNWs-Si Cf/SiC复合材料的密度及孔隙率 | 第65-66页 |
| 5.4 SiCNWs-Si Cf/SiC复合材料的力学性能研究 | 第66-67页 |
| 5.5 SiCNWs-Si Cf/SiC复合材料的微观结构分析 | 第67-70页 |
| 5.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 结论及展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第83页 |
