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雪崩光电二极管的边击穿抑制及过剩噪声因子测试

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第7-9页
    1.1 研究现状第7-8页
    1.2 主要研究内容第8-9页
2 雪崩光电二极管的基本理论第9-21页
    2.1 雪崩光电二极管工作原理第9-10页
    2.2 雪崩光电二极管基本参数第10-17页
    2.3 雪崩光电二极管的灵敏度优势第17-20页
    2.4 本章小结第20-21页
3 雪崩光电二极管的电场分布研究第21-35页
    3.1 理论基础第21-24页
    3.2 InGaAs/InP APD深保护环分析第24-34页
    3.3 本章小结第34-35页
4 雪崩光电二极管噪声测试第35-51页
    4.1 噪声测试系统第35-37页
    4.2 I-V测量第37-40页
    4.3 过剩噪声因子测量第40-50页
    4.4 本章小结第50-51页
5 总结第51-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-58页

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