| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 含硫的有机化合物简述 | 第11页 |
| 1.2 TTF及其衍生物的合成和应用 | 第11-13页 |
| 1.2.1 TTF及其衍生物的合成 | 第12页 |
| 1.2.2 四硫富瓦烯和其衍生物的发展 | 第12-13页 |
| 1.3 含氮原子四硫富瓦烯衍生物 | 第13-15页 |
| 1.4 含吡啶基团的四硫富瓦烯衍生物 | 第15-21页 |
| 1.4.1 吡啶基团通过π-共轭间隔体连接四硫富瓦烯衍生物 | 第16-20页 |
| 1.4.2 吡啶基团直接与TTF单元相连接的TTF衍生物 | 第20-21页 |
| 1.4.3 吡啶基团直接与TTF单元通过非共轭间隔体连接的TTF衍生物 | 第21页 |
| 1.5 基于含 4,5-二氮杂芴酮骨架的TTF衍生物的研究 | 第21-26页 |
| 1.6 选题依据和设计思路 | 第26-28页 |
| 1.6.1 选题依据 | 第26页 |
| 1.6.2 设计思路 | 第26-28页 |
| 第二章 含吡啶基团的新型TTF衍生物的合成及性质研究 | 第28-46页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 主要试剂与仪器 | 第28-29页 |
| 2.2.1 主要试剂 | 第28-29页 |
| 2.2.2 主要仪器 | 第29页 |
| 2.3 吡啶取代的 1,3-二硫环戊烯2硫酮类化合物的合成 | 第29-32页 |
| 2.3.1 化合物I的合成 | 第29-30页 |
| 2.3.2 化合物II的合成 | 第30页 |
| 2.3.3 化合物III的合成 | 第30-31页 |
| 2.3.4 化合物Ia的合成 | 第31页 |
| 2.3.5 化合物IIa的合成 | 第31-32页 |
| 2.3.6 化合物IIIa的合成 | 第32页 |
| 2.4 吡啶取代的TTF衍生物的合成 | 第32-34页 |
| 2.4.1 化合物Ib的合成 | 第32-33页 |
| 2.4.2 化合物IIb的合成 | 第33页 |
| 2.4.3 化合物IIIb的合成 | 第33-34页 |
| 2.5 晶体结构表征 | 第34-40页 |
| 2.5.1 化合物II的晶体结构 | 第34页 |
| 2.5.2 化合物IIb的晶体解析 | 第34-35页 |
| 2.5.3 化合物IIIb的晶体解析 | 第35-40页 |
| 2.6 电化学性质的研究 | 第40-42页 |
| 2.7 理论计算 | 第42-44页 |
| 2.8 结果与讨论 | 第44-46页 |
| 2.8.1 合成结果讨论 | 第44页 |
| 2.8.2 性质讨论 | 第44-46页 |
| 第三章 基于芴酮骨架含有吡啶基团TTF衍生物的合成及性质研究 | 第46-86页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 试剂与仪器 | 第46-47页 |
| 3.2.1 主要试剂 | 第46-47页 |
| 3.2.2 主要仪器 | 第47页 |
| 3.3 含吡啶和 4,5-二氮杂芴的TTF衍生物合成 | 第47-49页 |
| 3.3.1 化合物Ic的合成步骤及表征数据 | 第47-48页 |
| 3.3.2 化合物IIc的合成步骤及表征数据 | 第48页 |
| 3.3.3 化合物IIIc的合成步骤及表征数据 | 第48-49页 |
| 3.4 晶体结构解析 | 第49-54页 |
| 3.4.1 化合物IIc的晶体结构解析 | 第49页 |
| 3.4.2 化合物IIIc的晶体结构解析 | 第49-54页 |
| 3.5 电化学性质的研究 | 第54-72页 |
| 3.5.1 化合物Ic的加入不同离子氧化电位图 | 第55-60页 |
| 3.5.2 化合物IIc的加入不同离子氧化电位图 | 第60-66页 |
| 3.5.3 化合物IIIc的加入不同离子氧化电位图 | 第66-72页 |
| 3.6 化合物Ic, IIc和IIIc与金属离子作用的紫外滴定研究 | 第72-85页 |
| 3.6.1 化合物Ic的加入不同离子紫外吸收光谱 | 第73-77页 |
| 3.6.2 化合物IIc的加入不同离子紫外吸收光谱 | 第77-81页 |
| 3.6.3 化合物IIIc的加入不同离子紫外吸收光谱 | 第81-85页 |
| 3.7 化合物Ic, IIc和IIIc的性质讨论 | 第85-86页 |
| 第四章 结论 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-92页 |
| 附录 | 第92-108页 |
| 个人简历 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
