| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-40页 |
| 1.1 有机半导体纳米材料概述 | 第12-13页 |
| 1.2 有机微纳单晶材料的定向排列与图案化 | 第13-27页 |
| 1.2.1 自组装 | 第14-19页 |
| 1.2.2 涂布技术 | 第19-22页 |
| 1.2.3 印刷技术 | 第22-25页 |
| 1.2.4 物理气相沉积 | 第25-27页 |
| 1.3 有机微纳晶体的器件应用 | 第27-32页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管 | 第27-30页 |
| 1.3.2 有机光电探测器 | 第30-32页 |
| 1.4 课题的提出与意义 | 第32-33页 |
| 1.5 参考文献 | 第33-40页 |
| 第二章 加热提拉法制备n型难溶有机微纳单晶阵列及其有机场效应晶体管的应用 | 第40-58页 |
| 2.1 引言 | 第40-41页 |
| 2.2 实验部分 | 第41-44页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第41-42页 |
| 2.2.2 模板基底的制备 | 第42页 |
| 2.2.3 PTCDI-C_(13)、PTCDI-C_8和BPE-PTCDI纳米带阵列的制备与表征 | 第42-43页 |
| 2.2.4 器件的制备与测试 | 第43-44页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第44-55页 |
| 2.3.1 定向纳米带阵列的制备及表征 | 第44-45页 |
| 2.3.2 加热提拉法制备纳米带阵列的生长机制和控制实验 | 第45-48页 |
| 2.3.3 基于纳米带阵列的光电器件 | 第48-53页 |
| 2.3.4 加热提拉法的普适性及相关器件的制备 | 第53-55页 |
| 2.4 本章小结 | 第55页 |
| 2.5 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 斜坡挥发结合模板辅助制备大面积高迁移率空气稳定n型有机场效应晶体管阵列 | 第58-75页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2 实验部分 | 第59-61页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第59页 |
| 3.2.2 模板基底的制备 | 第59-60页 |
| 3.2.3 BPE-PTCDI纳米带阵列的制备与表征 | 第60页 |
| 3.2.4 器件的制备与测试 | 第60-61页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第61-71页 |
| 3.3.1 大面积n型BPE-PTCDI纳米带单晶阵列的制备与结构分析 | 第61-63页 |
| 3.3.2 斜坡加热挥发法的生长机制和控制实验 | 第63-66页 |
| 3.3.3 基于BPE-PTCDI纳米带阵列的n型有机场效应晶体管的制备与表征 | 第66-71页 |
| 3.4 本章小结 | 第71页 |
| 3.5 参考文献 | 第71-75页 |
| 第四章 基于柔性基底的高探测率、宽光谱有机微米线光电探测器 | 第75-87页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 实验部分 | 第76-78页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第76页 |
| 4.2.2 BPE-PTCDI微米线的制备与表征 | 第76-77页 |
| 4.2.3 器件的制备与测试 | 第77-78页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第78-84页 |
| 4.3.1 BPE-PTCDI微米线的制备和形貌结构分析 | 第78-79页 |
| 4.3.2 BPE-PTCDI微米线光电探测器的性能表征 | 第79-83页 |
| 4.3.3 器件的柔性测试和电学稳定性表征 | 第83-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84页 |
| 4.5 参考文献 | 第84-87页 |
| 结论 | 第87-89页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
