| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 裂纹薄膜 | 第12-15页 |
| 1.2.1 薄膜应力 | 第13页 |
| 1.2.2 裂纹薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.3 纳米半导体材料 | 第15-18页 |
| 1.3.1 纳米半导体材料的特性 | 第15-16页 |
| 1.3.2 半导体的种类 | 第16-17页 |
| 1.3.3 半导体的能带结构 | 第17-18页 |
| 1.4 半导体光电化学 | 第18-20页 |
| 1.4.1 光催化 | 第18-19页 |
| 1.4.2 光电化学 | 第19-20页 |
| 1.5 半导体的改性方法 | 第20-23页 |
| 1.5.1 异质结复合 | 第20-21页 |
| 1.5.2 量子点敏化 | 第21页 |
| 1.5.3 掺杂 | 第21-22页 |
| 1.5.4 表面金属沉积 | 第22-23页 |
| 1.6 纳米半导体材料的应用 | 第23-25页 |
| 1.6.1 量子点敏化太阳能电池及其结构 | 第23-24页 |
| 1.6.2 量子点敏化太阳能电池工作原理 | 第24-25页 |
| 1.7 本文构思与主要工作 | 第25-26页 |
| 第二章 SnO_2/CdS裂纹半导体薄膜的制备及光电化学性能研究 | 第26-35页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-28页 |
| 2.2.1 试剂与材料 | 第27页 |
| 2.2.2 制备CdS敏化的SnO_2复合薄膜 | 第27页 |
| 2.2.3 表征 | 第27页 |
| 2.2.4 光电化学测试 | 第27-28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-34页 |
| 2.3.1 形貌与组成 | 第28-30页 |
| 2.3.2 光学性质 | 第30页 |
| 2.3.3 光电化学性质 | 第30-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 SnO_2/CdSe裂纹半导体薄膜的制备及光电化学性能研究 | 第35-43页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-37页 |
| 3.2.1 试剂与材料 | 第35-36页 |
| 3.2.2 制备CdSe敏化的SnO_2复合薄膜 | 第36页 |
| 3.2.3 表征 | 第36页 |
| 3.2.4 光电化学性能测试 | 第36-37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-42页 |
| 3.3.1 形貌与组成 | 第37-38页 |
| 3.3.2 光学性质 | 第38-39页 |
| 3.3.3 光电化学性能 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 纳米CdS裂纹半导体薄膜的制备及光电性能研究 | 第43-51页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 实验部分 | 第44页 |
| 4.2.1 试剂 | 第44页 |
| 4.2.2 气/液界面组装与连续离子吸附制备CdS裂纹纳米半导体薄膜 | 第44页 |
| 4.2.3 表征 | 第44页 |
| 4.2.4 光电化学性能测试 | 第44页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第44-50页 |
| 4.3.1 形貌与组成 | 第44-46页 |
| 4.3.2 光学性质 | 第46-47页 |
| 4.3.3 光电化学性能 | 第47-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 结语 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-60页 |
| 攻读学位期间发表的文章 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
