| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| 第二章 文献综述 | 第18-39页 |
| 2.1 铁性及单一铁性材料 | 第18-21页 |
| 2.1.1 铁电性及铁电材料 | 第18-20页 |
| 2.1.2 铁磁性及铁磁材料 | 第20-21页 |
| 2.2 铁性复相材料及相关理论 | 第21-26页 |
| 2.2.1 有效介质理论 | 第22-23页 |
| 2.2.2 渗流理论 | 第23-25页 |
| 2.2.3 混合介电模型 | 第25-26页 |
| 2.3 多铁性与多铁材料 | 第26-28页 |
| 2.4 单相多铁材料 | 第28-30页 |
| 2.5 复相多铁耦合 | 第30-31页 |
| 2.6 复相多铁材料 | 第31-35页 |
| 2.6.1 复相多铁陶瓷材料 | 第32页 |
| 2.6.2 复相多铁薄膜 | 第32-35页 |
| 2.7 多铁材料的应用 | 第35-36页 |
| 2.7.1 基于多铁性耦合的应用 | 第35-36页 |
| 2.7.2 基于多种铁性共存的应用 | 第36页 |
| 2.8 本课题研究的目的、内容及意义 | 第36-39页 |
| 第三章 样品制备及实验方法 | 第39-46页 |
| 3.1 实验原料与仪器 | 第39-40页 |
| 3.1.1 实验原料 | 第39页 |
| 3.1.2 制备样品的设备和仪器 | 第39-40页 |
| 3.2 样品制备 | 第40-42页 |
| 3.2.1 BTO-NZFO复相薄膜溅射靶材的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.2 薄膜基板的处理 | 第41-42页 |
| 3.2.3 射频磁控溅射法制备BTO-NZFO复相薄膜 | 第42页 |
| 3.3 样品结构、形貌及元素状态表征 | 第42-44页 |
| 3.3.1 相结构表征 | 第42-43页 |
| 3.3.2 形貌表征 | 第43页 |
| 3.3.3 元素状态表征 | 第43页 |
| 3.3.4 薄膜厚度测试 | 第43-44页 |
| 3.4 电磁性能测试 | 第44-45页 |
| 3.4.1 介电性能频谱的测试 | 第44页 |
| 3.4.2 介电性能温谱的测试 | 第44-45页 |
| 3.4.3 磁导率频谱的测试 | 第45页 |
| 3.4.4 低温磁性能的测试 | 第45页 |
| 3.4.5 高温磁性能的测试 | 第45页 |
| 3.5 实验数据拟合及理论模拟 | 第45-46页 |
| 第四章 无取向生长的BTO-NZFO复相薄膜中纳米晶固溶体的形成 | 第46-65页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 溅射气氛和功率对薄膜沉积速率的控制 | 第47-49页 |
| 4.3 复相薄膜中四方钙钛矿BTO和立方尖晶石NZFO晶相的形成 | 第49-53页 |
| 4.4 复相薄膜中晶粒纳米尺寸的控制 | 第53-57页 |
| 4.4.1 热处理温度对晶粒尺寸的控制 | 第53-56页 |
| 4.4.2 复相薄膜中两相晶粒生长的相互抑制 | 第56-57页 |
| 4.5 BTO与NZFO两相间的离子相互取代 | 第57-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 法向结晶度连续变化的BTO-NZFO复相薄膜及其渐变结晶活化能的控制 | 第65-83页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 复相薄膜结晶度的法向连续变化及渐变结晶活化能的控制 | 第65-76页 |
| 5.3 复相薄膜表面元素含量的连续变化及渐变结晶活化能的控制 | 第76-78页 |
| 5.4 法向连续变化的结晶活化能和结晶度对复相薄膜电磁性能的影响 | 第78-82页 |
| 5.4.1 介电性能 | 第78-80页 |
| 5.4.2 磁性能 | 第80-82页 |
| 5.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 BTO-NZFO纳米晶复相薄膜介电性能的拓扑结构控制及转变行为 | 第83-102页 |
| 6.1 引言 | 第83页 |
| 6.2 拓扑结构转变引起的的介电性能转变 | 第83-87页 |
| 6.3 组成相电导率对复相材料转变阈值介电行为的影响 | 第87-99页 |
| 6.3.1 微电容器模型及其适用条件 | 第87-89页 |
| 6.3.2 全电路模型在复相材料中的应用 | 第89-92页 |
| 6.3.3 导相电导率对复相材料介电性能阈值行为的控制 | 第92-99页 |
| 6.4 NZFO纳米结构对复相薄膜中电子迁移及介电损耗的抑制 | 第99-101页 |
| 6.5 本章小结 | 第101-102页 |
| 第七章 BTO-NZFO纳米晶复相薄膜磁性能的拓扑结构控制及转变行为 | 第102-118页 |
| 7.1 引言 | 第102-103页 |
| 7.2 复相薄膜中单畴NZFO纳米晶的形成 | 第103-106页 |
| 7.3 纳米固溶体结构对复相薄膜磁化强度的影响 | 第106-108页 |
| 7.4 纳米晶复相薄膜磁性能的拓扑结构控制 | 第108-114页 |
| 7.4.1 纳米晶复相薄膜矫顽力的拓扑结构控制 | 第108-112页 |
| 7.4.2 纳米晶复相薄膜磁导率的拓扑结构控制 | 第112页 |
| 7.4.3 纳米晶复相薄膜磁化势垒的拓扑结构控制 | 第112-114页 |
| 7.5 BTO纳米结构导致的磁渗流阈值的前移 | 第114-116页 |
| 7.6 本章小结 | 第116-118页 |
| 第八章 BTO-NZFO纳米晶复相薄膜转变阈值在法向和径向上的各向异性 | 第118-126页 |
| 8.1 引言 | 第118-119页 |
| 8.2 复相薄膜拓扑结构转变阈值在法向和径向上的各向异性 | 第119-120页 |
| 8.3 复相薄膜电磁性能转变阈值在法向和径向上的各向异性 | 第120-125页 |
| 8.4 本章小结 | 第125-126页 |
| 第九章 NZFO取向生长的BTO-NZFO纳米晶复相薄膜的形成 | 第126-138页 |
| 9.1 引言 | 第126-127页 |
| 9.2 基板诱导对复相薄膜中NZFO取向形成的影响 | 第127-133页 |
| 9.3 诱导传递对复相薄膜中NZFO取向形成的影响 | 第133-137页 |
| 9.4 本章小结 | 第137-138页 |
| 第十章 跳跃电子对和超交换耦合磁矩方位对BTO-NZFO纳米晶复相薄膜电磁性能的控制 | 第138-162页 |
| 10.1 引言 | 第138页 |
| 10.2 超交换耦合磁矩方位对复相薄膜磁性能的控制 | 第138-150页 |
| 10.2.1 饱和磁化强度 | 第138-145页 |
| 10.2.2 矫顽力 | 第145-146页 |
| 10.2.3 初始磁导率 | 第146-150页 |
| 10.3 跳跃电子对方位对复相薄膜介电性能的控制 | 第150-161页 |
| 10.3.1 电导率 | 第150-156页 |
| 10.3.2 静电极化率 | 第156-158页 |
| 10.3.3 介电损耗 | 第158-161页 |
| 10.4 本章小结 | 第161-162页 |
| 第十一章 原位成型BTO-NZFO纳米晶复相薄膜的高磁电耦合效应 | 第162-175页 |
| 11.1 引言 | 第162-163页 |
| 11.2 复相薄膜中NZFO晶格应变的各向异性 | 第163-165页 |
| 11.3 NZFO晶格各向异性应变引起的复相薄膜电磁性能突变 | 第165-174页 |
| 11.4 本章小结 | 第174-175页 |
| 第十二章 全文总结与展望 | 第175-178页 |
| 12.1 研究总结 | 第175-177页 |
| 12.2 存在问题与展望 | 第177-178页 |
| 参考文献 | 第178-196页 |
| 致谢 | 第196-197页 |
| 个人简历 | 第197-198页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和取得的其他研究成果 | 第198页 |
