超声波精细雾化施液抛光氮化硅陶瓷的实验研究
摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 课题研究背景 | 第8-9页 |
1.2 氮化硅陶瓷基体精密加工研究现状 | 第9-10页 |
1.3 化学机械抛光技术 | 第10-13页 |
1.4 超声精细雾化CMP方法 | 第13-14页 |
1.5 论文主要研究内容 | 第14-16页 |
第二章 试验原理与方法 | 第16-22页 |
2.1 试验原理 | 第16-20页 |
2.1.1 雾化抛光系统 | 第16-19页 |
2.1.2 试验辅助设备 | 第19页 |
2.1.3 检测仪器 | 第19页 |
2.1.4 原材料与消耗品 | 第19-20页 |
2.2 试验方法 | 第20-21页 |
2.2.1 抛光液成分研究 | 第20-21页 |
2.2.2 工艺参数研究 | 第21页 |
2.3 本章小结 | 第21-22页 |
第三章 抛光液的单因素试验 | 第22-34页 |
3.1 抛光液成分单因素试验方案 | 第22-23页 |
3.1.1 抛光液的影响成分 | 第22页 |
3.1.2 试验条件 | 第22-23页 |
3.2 抛光液性能评价指标 | 第23页 |
3.3 磨料含量对雾化抛光效果的影响 | 第23-26页 |
3.3.1 磨料的选择 | 第23-24页 |
3.3.2 试验安排 | 第24页 |
3.3.3 磨料含量对抛光速率的影响 | 第24-25页 |
3.3.4 磨料含量对表面粗糙度的影响 | 第25-26页 |
3.4 pH值对雾化抛光效果的影响 | 第26-29页 |
3.4.1 pH值调节剂的选择 | 第26页 |
3.4.2 试验安排 | 第26-27页 |
3.4.3 pH值对抛光速率的影响 | 第27页 |
3.4.4 pH值对表面粗糙度的影响 | 第27-29页 |
3.5 氧化剂含量对雾化抛光效果的影响 | 第29-32页 |
3.5.1 氧化剂的选择 | 第29页 |
3.5.2 试验安排 | 第29-30页 |
3.5.3 氧化剂含量对抛光速率的影响 | 第30-31页 |
3.5.4 氧化剂含量对表面粗糙度的影响 | 第31-32页 |
3.6 本章小结 | 第32-34页 |
第四章 抛光液的成分优化 | 第34-44页 |
4.1 抛光液成分优化的影响 | 第34页 |
4.2 正交试验设计 | 第34-35页 |
4.2.1 试验安排 | 第34-35页 |
4.3 试验结果与分析 | 第35-41页 |
4.3.1 材料去除率的试验结果分析 | 第35-38页 |
4.3.2 表面粗糙度的试验结果分析 | 第38-40页 |
4.3.3 优化成分组合的确定 | 第40-41页 |
4.4 雾化抛光氮化硅陶瓷的材料去除机理分析 | 第41-42页 |
4.5 本章小结 | 第42-44页 |
第五章 雾化抛光氮化硅陶瓷基体工艺参数的研究 | 第44-64页 |
5.1 影响雾化抛光的工艺参数 | 第44-45页 |
5.2 抛光液成分的调节 | 第45页 |
5.3 雾液流量对抛光效果的影响 | 第45-48页 |
5.3.1 雾液流量对材料去除率的影响 | 第45-46页 |
5.3.2 雾液流量对表面粗糙度的影响 | 第46-48页 |
5.4 抛光压力对抛光效果的影响 | 第48-50页 |
5.4.1 抛光压力对材料去除率的影响 | 第48-49页 |
5.4.2 抛光压力对表面粗糙度的影响 | 第49-50页 |
5.5 抛光盘转速对抛光效果的影响 | 第50-54页 |
5.5.1 抛光盘转速对材料去除率的影响 | 第51-52页 |
5.5.2 抛光盘转速对表面粗糙度的影响 | 第52-54页 |
5.6 雾化抛光工艺参数的优化 | 第54-60页 |
5.6.1 正交试验设计 | 第54页 |
5.6.2 材料去除率的试验结果分析 | 第54-57页 |
5.6.3 表面粗糙度的试验结果分析 | 第57-59页 |
5.6.4 优化工艺参数的确定 | 第59-60页 |
5.7 雾化CMP与传统CMP的试验比较 | 第60-62页 |
5.7.1 试验条件 | 第61页 |
5.7.2 试验结果与讨论 | 第61-62页 |
5.8 本章小结 | 第62-64页 |
第六章 结论与展望 | 第64-67页 |
6.1 结论 | 第64-65页 |
6.2 论文创新点 | 第65页 |
6.3 展望 | 第65-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-72页 |
附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72页 |