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超声波精细雾化施液抛光氮化硅陶瓷的实验研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-16页
    1.1 课题研究背景第8-9页
    1.2 氮化硅陶瓷基体精密加工研究现状第9-10页
    1.3 化学机械抛光技术第10-13页
    1.4 超声精细雾化CMP方法第13-14页
    1.5 论文主要研究内容第14-16页
第二章 试验原理与方法第16-22页
    2.1 试验原理第16-20页
        2.1.1 雾化抛光系统第16-19页
        2.1.2 试验辅助设备第19页
        2.1.3 检测仪器第19页
        2.1.4 原材料与消耗品第19-20页
    2.2 试验方法第20-21页
        2.2.1 抛光液成分研究第20-21页
        2.2.2 工艺参数研究第21页
    2.3 本章小结第21-22页
第三章 抛光液的单因素试验第22-34页
    3.1 抛光液成分单因素试验方案第22-23页
        3.1.1 抛光液的影响成分第22页
        3.1.2 试验条件第22-23页
    3.2 抛光液性能评价指标第23页
    3.3 磨料含量对雾化抛光效果的影响第23-26页
        3.3.1 磨料的选择第23-24页
        3.3.2 试验安排第24页
        3.3.3 磨料含量对抛光速率的影响第24-25页
        3.3.4 磨料含量对表面粗糙度的影响第25-26页
    3.4 pH值对雾化抛光效果的影响第26-29页
        3.4.1 pH值调节剂的选择第26页
        3.4.2 试验安排第26-27页
        3.4.3 pH值对抛光速率的影响第27页
        3.4.4 pH值对表面粗糙度的影响第27-29页
    3.5 氧化剂含量对雾化抛光效果的影响第29-32页
        3.5.1 氧化剂的选择第29页
        3.5.2 试验安排第29-30页
        3.5.3 氧化剂含量对抛光速率的影响第30-31页
        3.5.4 氧化剂含量对表面粗糙度的影响第31-32页
    3.6 本章小结第32-34页
第四章 抛光液的成分优化第34-44页
    4.1 抛光液成分优化的影响第34页
    4.2 正交试验设计第34-35页
        4.2.1 试验安排第34-35页
    4.3 试验结果与分析第35-41页
        4.3.1 材料去除率的试验结果分析第35-38页
        4.3.2 表面粗糙度的试验结果分析第38-40页
        4.3.3 优化成分组合的确定第40-41页
    4.4 雾化抛光氮化硅陶瓷的材料去除机理分析第41-42页
    4.5 本章小结第42-44页
第五章 雾化抛光氮化硅陶瓷基体工艺参数的研究第44-64页
    5.1 影响雾化抛光的工艺参数第44-45页
    5.2 抛光液成分的调节第45页
    5.3 雾液流量对抛光效果的影响第45-48页
        5.3.1 雾液流量对材料去除率的影响第45-46页
        5.3.2 雾液流量对表面粗糙度的影响第46-48页
    5.4 抛光压力对抛光效果的影响第48-50页
        5.4.1 抛光压力对材料去除率的影响第48-49页
        5.4.2 抛光压力对表面粗糙度的影响第49-50页
    5.5 抛光盘转速对抛光效果的影响第50-54页
        5.5.1 抛光盘转速对材料去除率的影响第51-52页
        5.5.2 抛光盘转速对表面粗糙度的影响第52-54页
    5.6 雾化抛光工艺参数的优化第54-60页
        5.6.1 正交试验设计第54页
        5.6.2 材料去除率的试验结果分析第54-57页
        5.6.3 表面粗糙度的试验结果分析第57-59页
        5.6.4 优化工艺参数的确定第59-60页
    5.7 雾化CMP与传统CMP的试验比较第60-62页
        5.7.1 试验条件第61页
        5.7.2 试验结果与讨论第61-62页
    5.8 本章小结第62-64页
第六章 结论与展望第64-67页
    6.1 结论第64-65页
    6.2 论文创新点第65页
    6.3 展望第65-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-72页
附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文第72页

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