在SiC衬底C面外延石墨烯生长过程研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 石墨烯材料概述 | 第16-24页 |
| 1.2.1 石墨烯的晶格结构及能带结构 | 第16-19页 |
| 1.2.2 石墨烯的性质 | 第19-21页 |
| 1.2.3 石墨烯的应用 | 第21-24页 |
| 1.3 本论文的主要工作及章节划分 | 第24-27页 |
| 第二章 石墨烯的表征方法及制备方法 | 第27-37页 |
| 2.1 石墨烯的表征方法 | 第27-33页 |
| 2.1.1 光学显微镜 | 第27页 |
| 2.1.2 扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 2.1.3 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.1.4 拉曼光谱仪 | 第28-33页 |
| 2.1.5 霍尔效应 | 第33页 |
| 2.2 石墨烯的制备方法 | 第33-36页 |
| 2.2.1 微机械剥离法 | 第34页 |
| 2.2.2 金属衬底化学气相淀积法 | 第34-35页 |
| 2.2.3 氧化石墨还原法 | 第35页 |
| 2.2.4 SiC外延石墨烯法 | 第35-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 SiC高温外延石墨烯的生长过程及工艺过程 | 第37-47页 |
| 3.1 SiC衬底 | 第37-38页 |
| 3.2 在SiC衬底上高温外延石墨烯的生长过程 | 第38-40页 |
| 3.2.1 硅面外延石墨烯 | 第38-39页 |
| 3.2.2 碳面石墨烯生长 | 第39-40页 |
| 3.3 高温外延石墨烯预处理工艺过程 | 第40-42页 |
| 3.3.1 划片 | 第40页 |
| 3.3.2 清洗 | 第40-41页 |
| 3.3.3 氢刻蚀 | 第41页 |
| 3.3.4 去化合物 | 第41-42页 |
| 3.4 高温热解法外延生长石墨烯 | 第42-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 SiC衬底C面高温外延石墨烯结果分析 | 第47-65页 |
| 4.1 实验结果的拉曼表征 | 第47-53页 |
| 4.2 实验结果的AFM表征结果 | 第53-58页 |
| 4.3 实验结果的其他表征 | 第58-61页 |
| 4.4 未刻蚀与氢刻蚀SiC外延结果对比 | 第61-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
