| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 绪论 | 第11-23页 |
| §1 研究背景 | 第11页 |
| §2 研究现状 | 第11-13页 |
| §3 论文的研究目标和主要工作 | 第13-16页 |
| [参考文献] | 第16-23页 |
| 第一章 微波毫米波基片参数的提取 | 第23-51页 |
| §1.1 研究背景 | 第23-24页 |
| §1.2 SIW谐振腔差分法 | 第24-37页 |
| §1.2.1 SIW谐振腔差分法的原理 | 第24-27页 |
| §1.2.2 SIW谐振腔Q_u的提取 | 第27-29页 |
| §1.2.3 实验验证及测量结果的讨论 | 第29-37页 |
| §1.3 平面集成电路方法测量基片材料特性的比较 | 第37-42页 |
| §1.3.1 基片材料各向异性提取方法的讨论 | 第37-40页 |
| §1.3.2 测量灵敏度的对比 | 第40-42页 |
| §1.4 SIW传输线衰减常数提取的谐振法 | 第42-47页 |
| §1.4.1 谐振法的基本原理 | 第42-45页 |
| §1.4.2 实验验证及讨论 | 第45-47页 |
| §1.5 本章小结 | 第47-48页 |
| [参考文献] | 第48-51页 |
| 第二章 一种新型三模SIW谐振腔 | 第51-67页 |
| §2.1 研究背景及现状 | 第51-52页 |
| §2.2 三模SIW谐振腔 | 第52-58页 |
| §2.2.1 三模SIW谐振腔的基本原理 | 第52-54页 |
| §2.2.2 三模SIW谐振腔的等效电路模型 | 第54-58页 |
| §2.3 基于三模SIW谐振腔的滤波器设计 | 第58-61页 |
| §2.4 滤波器的测量结果及相关讨论 | 第61-64页 |
| §2.5 本章小结 | 第64-65页 |
| [参考文献] | 第65-67页 |
| 第三章 基片集成频率选择表面的研究 | 第67-97页 |
| §3.1 研究现状 | 第67-69页 |
| §3.2 频率选择表面的基本特性 | 第69-71页 |
| §3.2.1 Floquet定理 | 第69-70页 |
| §3.2.2 栅瓣现象 | 第70页 |
| §3.2.3 表面波现象 | 第70-71页 |
| §3.3 极化扭转基片集成频率选择表面的设计 | 第71-80页 |
| §3.3.1 基于三模SIW腔的频率选择表面 | 第71-75页 |
| §3.3.2 基片集成频率选择表面各参数的影响 | 第75-77页 |
| §3.3.3 实验验证 | 第77-80页 |
| §3.4 极化扭转基片集成频率选择表面的小型化设计 | 第80-86页 |
| §3.4.1 基本原理与设计过程 | 第80-84页 |
| §3.4.2 实验验证 | 第84-86页 |
| §3.5 反射式极化扭转基片集成频率选择表面 | 第86-92页 |
| §3.5.1 基本原理与设计过程 | 第86-89页 |
| §3.5.2 实验验证 | 第89-92页 |
| §3.6 本章小结 | 第92页 |
| [参考文献] | 第92-97页 |
| 第四章 毫米波亚毫米波无源元件的参数提取与设计 | 第97-131页 |
| §4.1 研究背景及现状 | 第97-100页 |
| §4.2 基于CMOS工艺的毫米波亚毫米波传输线的特性研究 | 第100-108页 |
| §4.2.1 校准方法的选择及考虑 | 第100-101页 |
| §4.2.2 微带线传输特性的提取方法 | 第101-102页 |
| §4.2.3 110GHz～325GHz CMOS微带线的传输特性提取 | 第102-108页 |
| §4.3 空气填充波导的传输特性提取方法的研究 | 第108-112页 |
| §4.3.1 谐振腔法提取波导传输特性的基本原理 | 第108-110页 |
| §4.3.2 仿真验证及讨论 | 第110-112页 |
| §4.4 基于MEMS工艺的波导元件设计 | 第112-121页 |
| §4.4.1 波导谐振腔的高次模 | 第112-113页 |
| §4.4.2 基于高次模波导腔体的滤波器 | 第113-121页 |
| §4.5 基于MEMS工艺的频率选择表面设计 | 第121-126页 |
| §4.6 本章小结 | 第126页 |
| [参考文献] | 第126-131页 |
| 结论与展望 | 第131-135页 |
| 作者简介 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137页 |
