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微波毫米波基片参数提取与平面无源元件的设计与实现

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
绪论第11-23页
    §1 研究背景第11页
    §2 研究现状第11-13页
    §3 论文的研究目标和主要工作第13-16页
    [参考文献]第16-23页
第一章 微波毫米波基片参数的提取第23-51页
    §1.1 研究背景第23-24页
    §1.2 SIW谐振腔差分法第24-37页
        §1.2.1 SIW谐振腔差分法的原理第24-27页
        §1.2.2 SIW谐振腔Q_u的提取第27-29页
        §1.2.3 实验验证及测量结果的讨论第29-37页
    §1.3 平面集成电路方法测量基片材料特性的比较第37-42页
        §1.3.1 基片材料各向异性提取方法的讨论第37-40页
        §1.3.2 测量灵敏度的对比第40-42页
    §1.4 SIW传输线衰减常数提取的谐振法第42-47页
        §1.4.1 谐振法的基本原理第42-45页
        §1.4.2 实验验证及讨论第45-47页
    §1.5 本章小结第47-48页
    [参考文献]第48-51页
第二章 一种新型三模SIW谐振腔第51-67页
    §2.1 研究背景及现状第51-52页
    §2.2 三模SIW谐振腔第52-58页
        §2.2.1 三模SIW谐振腔的基本原理第52-54页
        §2.2.2 三模SIW谐振腔的等效电路模型第54-58页
    §2.3 基于三模SIW谐振腔的滤波器设计第58-61页
    §2.4 滤波器的测量结果及相关讨论第61-64页
    §2.5 本章小结第64-65页
    [参考文献]第65-67页
第三章 基片集成频率选择表面的研究第67-97页
    §3.1 研究现状第67-69页
    §3.2 频率选择表面的基本特性第69-71页
        §3.2.1 Floquet定理第69-70页
        §3.2.2 栅瓣现象第70页
        §3.2.3 表面波现象第70-71页
    §3.3 极化扭转基片集成频率选择表面的设计第71-80页
        §3.3.1 基于三模SIW腔的频率选择表面第71-75页
        §3.3.2 基片集成频率选择表面各参数的影响第75-77页
        §3.3.3 实验验证第77-80页
    §3.4 极化扭转基片集成频率选择表面的小型化设计第80-86页
        §3.4.1 基本原理与设计过程第80-84页
        §3.4.2 实验验证第84-86页
    §3.5 反射式极化扭转基片集成频率选择表面第86-92页
        §3.5.1 基本原理与设计过程第86-89页
        §3.5.2 实验验证第89-92页
    §3.6 本章小结第92页
    [参考文献]第92-97页
第四章 毫米波亚毫米波无源元件的参数提取与设计第97-131页
    §4.1 研究背景及现状第97-100页
    §4.2 基于CMOS工艺的毫米波亚毫米波传输线的特性研究第100-108页
        §4.2.1 校准方法的选择及考虑第100-101页
        §4.2.2 微带线传输特性的提取方法第101-102页
        §4.2.3 110GHz~325GHz CMOS微带线的传输特性提取第102-108页
    §4.3 空气填充波导的传输特性提取方法的研究第108-112页
        §4.3.1 谐振腔法提取波导传输特性的基本原理第108-110页
        §4.3.2 仿真验证及讨论第110-112页
    §4.4 基于MEMS工艺的波导元件设计第112-121页
        §4.4.1 波导谐振腔的高次模第112-113页
        §4.4.2 基于高次模波导腔体的滤波器第113-121页
    §4.5 基于MEMS工艺的频率选择表面设计第121-126页
    §4.6 本章小结第126页
    [参考文献]第126-131页
结论与展望第131-135页
作者简介第135-137页
致谢第137页

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