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LNA和VCO电路的研究与设计

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第9-13页
    1.1 研究背景第9-10页
    1.2 研究现状第10-11页
        1.2.1 LNA的研究现状第10页
        1.2.2 VCO的研究现状第10-11页
    1.3 研究内容第11页
    1.4 论文组织结构第11-13页
第2章 SiGe BiCMOS工艺介绍和噪声第13-19页
    2.1 SiGe BiCMOS器件理论基础第13-14页
        2.1.1 SiGe BiCMOS工艺第13-14页
        2.1.2 HBT器件的I/V特性第14页
    2.2 噪声基本理论第14-19页
        2.2.1 噪声来源与描述第14-16页
        2.2.2 SiGe HBT中的噪声源第16-19页
第3章 低噪声放大器基本理论第19-29页
    3.1 接收机中LNA概述第19页
    3.2 LNA的主要性能参数第19-24页
        3.2.1 S参数第20-21页
        3.2.2 噪声系数第21页
        3.2.3 增益第21-22页
        3.2.4 输入输出阻抗匹配第22-23页
        3.2.5 线性度第23页
        3.2.6 反向隔离度第23页
        3.2.7 稳定性第23-24页
    3.3 LNA基本结构类型第24-29页
        3.3.1 LNA基本结构分析第24-25页
        3.3.2 共发射极结构LNA第25-26页
        3.3.3 共基极结构LNA第26-29页
第4章 低噪声放大器的设计第29-39页
    4.1 设计指标第29页
    4.2 LNA电路设计及优化第29-35页
        4.2.1 输入阻抗匹配分析第30-32页
        4.2.2 增益性能分析第32-33页
        4.2.3 噪声优化第33-35页
    4.3 LNA版图设计第35-36页
    4.4 仿真结果第36-39页
第5章 压控振荡器基本原理第39-53页
    5.1 振荡器概述第39页
    5.2 振荡器的分析方法第39-42页
        5.2.1 正反馈分析法第39-40页
        5.2.2 负阻分析法第40-42页
    5.3 VCO的基本结构第42-45页
        5.3.1 环形VCO第42-44页
        5.3.2 LC-VCO第44-45页
    5.4 VCO的主要性能参数第45-46页
        5.4.1 调谐范围第45页
        5.4.2 相位噪声第45页
        5.4.3 压控增益第45-46页
        5.4.4 输出振幅第46页
    5.5 相位噪声第46-53页
        5.5.1 相位噪声的定义第46-47页
        5.5.2 相位噪声的影响第47页
        5.5.3 相位噪声模型第47-50页
        5.5.4 相位噪声优化技术第50-53页
第6章 压控振荡器的设计第53-69页
    6.1 设计指标第53页
    6.2 VCO总体结构第53-54页
    6.3 VCO电路的具体设计第54-60页
        6.3.1 谐振腔中电感的设计第54-55页
        6.3.2 交叉耦合对管的设计第55-56页
        6.3.3 开关电容阵列的设计第56-58页
        6.3.4 可变电容的设计第58页
        6.3.5 尾电流源的设计第58-59页
        6.3.6 噪声滤波的设计第59-60页
        6.3.7 输出缓冲电路的设计第60页
    6.4 VCO版图设计和后仿真结果第60-63页
        6.4.1 VCO版图设计第60-61页
        6.4.2 后仿真结果第61-63页
    6.5 VCO芯片测试第63-69页
        6.5.1 测试方案第63-65页
        6.5.2 测试结果第65-67页
        6.5.3 测试结果分析第67-69页
第7章 总结与展望第69-71页
    7.1 总结第69页
    7.2 展望第69-71页
参考文献第71-75页
致谢第75-77页
附件:攻读硕士学位期间发表的论文第77页

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