LNA和VCO电路的研究与设计
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第9-13页 |
1.1 研究背景 | 第9-10页 |
1.2 研究现状 | 第10-11页 |
1.2.1 LNA的研究现状 | 第10页 |
1.2.2 VCO的研究现状 | 第10-11页 |
1.3 研究内容 | 第11页 |
1.4 论文组织结构 | 第11-13页 |
第2章 SiGe BiCMOS工艺介绍和噪声 | 第13-19页 |
2.1 SiGe BiCMOS器件理论基础 | 第13-14页 |
2.1.1 SiGe BiCMOS工艺 | 第13-14页 |
2.1.2 HBT器件的I/V特性 | 第14页 |
2.2 噪声基本理论 | 第14-19页 |
2.2.1 噪声来源与描述 | 第14-16页 |
2.2.2 SiGe HBT中的噪声源 | 第16-19页 |
第3章 低噪声放大器基本理论 | 第19-29页 |
3.1 接收机中LNA概述 | 第19页 |
3.2 LNA的主要性能参数 | 第19-24页 |
3.2.1 S参数 | 第20-21页 |
3.2.2 噪声系数 | 第21页 |
3.2.3 增益 | 第21-22页 |
3.2.4 输入输出阻抗匹配 | 第22-23页 |
3.2.5 线性度 | 第23页 |
3.2.6 反向隔离度 | 第23页 |
3.2.7 稳定性 | 第23-24页 |
3.3 LNA基本结构类型 | 第24-29页 |
3.3.1 LNA基本结构分析 | 第24-25页 |
3.3.2 共发射极结构LNA | 第25-26页 |
3.3.3 共基极结构LNA | 第26-29页 |
第4章 低噪声放大器的设计 | 第29-39页 |
4.1 设计指标 | 第29页 |
4.2 LNA电路设计及优化 | 第29-35页 |
4.2.1 输入阻抗匹配分析 | 第30-32页 |
4.2.2 增益性能分析 | 第32-33页 |
4.2.3 噪声优化 | 第33-35页 |
4.3 LNA版图设计 | 第35-36页 |
4.4 仿真结果 | 第36-39页 |
第5章 压控振荡器基本原理 | 第39-53页 |
5.1 振荡器概述 | 第39页 |
5.2 振荡器的分析方法 | 第39-42页 |
5.2.1 正反馈分析法 | 第39-40页 |
5.2.2 负阻分析法 | 第40-42页 |
5.3 VCO的基本结构 | 第42-45页 |
5.3.1 环形VCO | 第42-44页 |
5.3.2 LC-VCO | 第44-45页 |
5.4 VCO的主要性能参数 | 第45-46页 |
5.4.1 调谐范围 | 第45页 |
5.4.2 相位噪声 | 第45页 |
5.4.3 压控增益 | 第45-46页 |
5.4.4 输出振幅 | 第46页 |
5.5 相位噪声 | 第46-53页 |
5.5.1 相位噪声的定义 | 第46-47页 |
5.5.2 相位噪声的影响 | 第47页 |
5.5.3 相位噪声模型 | 第47-50页 |
5.5.4 相位噪声优化技术 | 第50-53页 |
第6章 压控振荡器的设计 | 第53-69页 |
6.1 设计指标 | 第53页 |
6.2 VCO总体结构 | 第53-54页 |
6.3 VCO电路的具体设计 | 第54-60页 |
6.3.1 谐振腔中电感的设计 | 第54-55页 |
6.3.2 交叉耦合对管的设计 | 第55-56页 |
6.3.3 开关电容阵列的设计 | 第56-58页 |
6.3.4 可变电容的设计 | 第58页 |
6.3.5 尾电流源的设计 | 第58-59页 |
6.3.6 噪声滤波的设计 | 第59-60页 |
6.3.7 输出缓冲电路的设计 | 第60页 |
6.4 VCO版图设计和后仿真结果 | 第60-63页 |
6.4.1 VCO版图设计 | 第60-61页 |
6.4.2 后仿真结果 | 第61-63页 |
6.5 VCO芯片测试 | 第63-69页 |
6.5.1 测试方案 | 第63-65页 |
6.5.2 测试结果 | 第65-67页 |
6.5.3 测试结果分析 | 第67-69页 |
第7章 总结与展望 | 第69-71页 |
7.1 总结 | 第69页 |
7.2 展望 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
致谢 | 第75-77页 |
附件:攻读硕士学位期间发表的论文 | 第77页 |