| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第11-14页 |
| ·ZnO的结构性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第12-13页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第13-14页 |
| ·ZnO的其他性质 | 第14页 |
| ·ZnO材料的研究进展及其研究现状 | 第14-17页 |
| ·优质ZnO薄膜的外延生长 | 第14-15页 |
| ·p 型ZnO薄膜的研究 | 第15页 |
| ·掺杂对ZnO薄膜的光学、电学、磁学等特性进行改性 | 第15-16页 |
| ·ZnO纳米薄膜 | 第16-17页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第17-19页 |
| ·与GaN互做缓冲层 | 第17页 |
| ·紫外光探测器 | 第17页 |
| ·表面声波器件 | 第17-18页 |
| ·太阳能电极 | 第18页 |
| ·透明导电膜 | 第18页 |
| ·气敏传感器 | 第18-19页 |
| ·本文选题背景和主要研究内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 ZnO 薄膜的制备和表征方法 | 第22-37页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第22-25页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积 （PLD） | 第23页 |
| ·分子束外延 （MBE） | 第23-24页 |
| ·溶胶-凝胶 （Sol-Gel）法 | 第24页 |
| ·金属有机化学气相沉积 (MOCVD) | 第24-25页 |
| ·ZnO 薄膜样品的制备 | 第25-36页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第25-28页 |
| ·溅射率 | 第28-29页 |
| ·磁控溅射法的优点 | 第29页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第29-30页 |
| ·ZnO 薄膜的制备 | 第30-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 玻璃基底、Zn 缓冲层对ZnO 薄膜特性的影响 | 第37-43页 |
| ·Zn 缓冲层对ZnO 薄膜结晶特性的影响 | 第37-40页 |
| ·不同厚度的Zn 缓冲层对ZnO 薄膜光致发光特性的影响 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 Zn 缓冲层对ZnO/Zn/Si （100） 薄膜特性的影响 | 第43-49页 |
| ·射频磁控溅射ZnO/Zn/Si (100) 薄膜的实验制备及形貌结构 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| ·总结 | 第49页 |
| ·展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表的论文 | 第52页 |
