8μm~12μm红外减反射膜镀制的工艺研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究 | 第10-11页 |
| 1.3 主要研究内容和结构安排 | 第11-12页 |
| 2 光学薄膜理论 | 第12-31页 |
| 2.1 光学薄膜特性的理论基础 | 第12-26页 |
| 2.1.1 麦克斯韦方程 | 第12-16页 |
| 2.1.2 光学导纳 | 第16-18页 |
| 2.1.3 菲涅尔公式 | 第18-20页 |
| 2.1.4 薄膜干涉原理 | 第20-24页 |
| 2.1.5 计算薄膜的反射率 | 第24-26页 |
| 2.2 减反射膜设计原理 | 第26-31页 |
| 2.2.1 单层减反射膜 | 第26-27页 |
| 2.2.2 双层减反射膜 | 第27-28页 |
| 2.2.3 多层减反射膜及对称膜系的等效折射率 | 第28-29页 |
| 2.2.4 薄膜的优化 | 第29-31页 |
| 3 红外减反射膜工艺设计 | 第31-37页 |
| 3.1 基底材料 | 第31-32页 |
| 3.1.1 锗(Ge) | 第31-32页 |
| 3.1.2 硒化锌(ZnSe) | 第32页 |
| 3.2 薄膜材料 | 第32-35页 |
| 3.2.1 薄膜材料的要求 | 第32-34页 |
| 3.2.2 常用红外薄膜材料 | 第34-35页 |
| 3.3 膜系设计 | 第35-37页 |
| 3.3.1 Ge基底 | 第35-36页 |
| 3.3.2 ZnSe基底 | 第36页 |
| 3.3.3 膜系及膜料的确定 | 第36-37页 |
| 4 工艺研究 | 第37-53页 |
| 4.1 设备介绍 | 第37-41页 |
| 4.1.1 真空系统 | 第37-38页 |
| 4.1.2 蒸发系统 | 第38-39页 |
| 4.1.3 膜厚控制系统 | 第39-41页 |
| 4.2 APS离子源原理及使用 | 第41-44页 |
| 4.2.1 APS离子源 | 第41-43页 |
| 4.2.2 APS离子源辅助沉积工艺参数的选择 | 第43-44页 |
| 4.3 工艺参数的确定及光学常量计算 | 第44-49页 |
| 4.3.1 工艺参数的确定 | 第44-47页 |
| 4.3.2 光学常量的计算 | 第47-49页 |
| 4.4 Macleod薄膜设计软件优化薄膜设计 | 第49-51页 |
| 4.5 减反射膜制作 | 第51-53页 |
| 4.5.1 镀膜前基表板面的清洁 | 第51-52页 |
| 4.5.2 镀膜过程 | 第52-53页 |
| 5 工艺结果 | 第53-56页 |
| 5.1 光谱曲线测量结果 | 第53-54页 |
| 5.2 误差分析 | 第54-55页 |
| 5.3 薄膜耐环境性能测试 | 第55-56页 |
| 6 结论 | 第56-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
