| 中文摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第16-39页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 光伏材料介绍 | 第16-19页 |
| 1.2.1 光伏材料发展 | 第17-18页 |
| 1.2.2 新型光伏材料 | 第18-19页 |
| 1.3 铜锌锡硫硒（CZTSSe）光伏材料 | 第19-25页 |
| 1.3.1 CZTSSe材料结构 | 第19-22页 |
| 1.3.2 CZTSSe光学带隙 | 第22-23页 |
| 1.3.3 CZTSSe太阳能电池发展 | 第23-24页 |
| 1.3.4 高效CZTSSe太阳能电池面临问题 | 第24-25页 |
| 1.4 二维光电材料 | 第25-31页 |
| 1.4.1 石墨烯（graphene） | 第26-28页 |
| 1.4.2 二维二硫化钼（MoS_2） | 第28-29页 |
| 1.4.3 III-VI族二维材料 | 第29-31页 |
| 1.4.4 二维材料异质结 | 第31页 |
| 1.5 论文研究内容和章节安排 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-39页 |
| 第二章 实验技术及表征测试手段 | 第39-56页 |
| 2.1 实验试剂及前驱体材料 | 第39-41页 |
| 2.2 制备样品过程中主要实验技术 | 第41-46页 |
| 2.2.1 电化学沉积 | 第41-42页 |
| 2.2.2 双温区硒化退火装置 | 第42-43页 |
| 2.2.3 二维材料转移技术 | 第43-46页 |
| 2.3 制备器件过程中主要实验技术 | 第46-49页 |
| 2.3.1 光刻蚀技术 | 第46-47页 |
| 2.3.2 电子束刻蚀技术 | 第47-49页 |
| 2.4 样品表征技术 | 第49-53页 |
| 2.4.1 XRD衍射谱 | 第49-51页 |
| 2.4.2 拉曼散射谱 | 第51-53页 |
| 2.5 光电器件测试平台 | 第53-54页 |
| 2.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 CZTSe薄膜的制备及表征 | 第56-80页 |
| 3.1 引言 | 第56-57页 |
| 3.2 电化学沉积后硒化法制备CZTSe薄膜 | 第57-64页 |
| 3.2.1 循环伏安法测定Cu-Zn-Sn沉积电位 | 第58-59页 |
| 3.2.2 恒电位法制备Cu-Zn-Sn合金薄膜并硒化 | 第59-61页 |
| 3.2.3 CZTSe薄膜的表征 | 第61-64页 |
| 3.3 溶胶-凝胶后硒化法制备CZTSe薄膜 | 第64-74页 |
| 3.3.1 Mo衬底温度对CZTSe薄膜的影响 | 第64-69页 |
| 3.3.2 纯净CZTSe薄膜的硒化衬底温度 | 第69-73页 |
| 3.3.3 CZTSe薄膜带隙的测定 | 第73-74页 |
| 3.4 溶胶-凝胶后硒化法制备CZTSSe薄膜 | 第74-76页 |
| 3.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 第四章 光与二维半导体异质结的相互作用 | 第80-102页 |
| 4.1 引言 | 第80-81页 |
| 4.2 随机转移法制备二维半导体异质结 | 第81-86页 |
| 4.2.1 随机转移二维材料工艺 | 第82-83页 |
| 4.2.2 衬底温度对二维材料附着力的影响 | 第83-84页 |
| 4.2.3 随机转移法制备MoS_2/In Se二维半导体异质结 | 第84-86页 |
| 4.3 二维半导体异质结中拉曼强度增强和减弱效应 | 第86-91页 |
| 4.3.1 In Se/MoS_2异质结拉曼散射强度的变化 | 第87-89页 |
| 4.3.2 MoS_2/ In Se异质结拉曼散射强度的变化 | 第89-90页 |
| 4.3.3 Ga Se/ In Se异质结拉曼散射强度的变化 | 第90-91页 |
| 4.4 二维半导体异质结中拉曼强度变化理论模拟 | 第91-96页 |
| 4.4.1 光在二维半导体异质结中多重折射和反射模型 | 第92页 |
| 4.4.2 In Se/MoS_2异质结中光散射强度分析 | 第92-94页 |
| 4.4.3 随厚度变化的In Se/MoS_2异质结中拉曼散射强度分析 | 第94-96页 |
| 4.5 光在二维半导体异质结中的分布与吸收 | 第96-99页 |
| 4.5.1 光在二维半导体异质结中的分布 | 第96-98页 |
| 4.5.2 光在二维半导体异质结中的吸收 | 第98-99页 |
| 4.6 本章小结 | 第99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第五章 基于二维In Se/MoS_2异质结的光电探测器 | 第102-118页 |
| 5.1 引言 | 第102页 |
| 5.2 基于二维材料的光电探测器机理及参数 | 第102-107页 |
| 5.2.1 光电探测器机理 | 第103-106页 |
| 5.2.2 光电探测器重要参数 | 第106-107页 |
| 5.3 基于In Se/MoS_2半导体异质结光电探测器 | 第107-110页 |
| 5.3.1 In Se/MoS_2异质结光电探测器的制备 | 第107页 |
| 5.3.2 In Se/MoS_2异质结光电探测器的测试 | 第107-108页 |
| 5.3.3 In Se/MoS_2异质结光电探测器的光电流分布及原因 | 第108-110页 |
| 5.4 基于graphene/In Se/MoS_2异质结光电探测器 | 第110-115页 |
| 5.4.1 graphene/In Se/MoS_2异质结光电探测器的制备 | 第110-111页 |
| 5.4.2 graphene/In Se/MoS_2异质结光电探测器的测试 | 第111-113页 |
| 5.4.3 graphene/In Se/MoS_2异质结光电探测器的光电流分布及原因 | 第113-115页 |
| 5.5 本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-118页 |
| 第六章 论文总结及展望 | 第118-121页 |
| 6.1 论文总结 | 第118-119页 |
| 6.2 论文创新点 | 第119页 |
| 6.3 论文展望 | 第119-121页 |
| 附录 1 | 第121-126页 |
| 1.1 理论模型及参数 | 第121-123页 |
| 1.2 光在二维半导体异质结中的分布 | 第123-124页 |
| 1.3 光在二维半导体异质结中的吸收 | 第124页 |
| 1.4 光在二维半导体异质结中的散射 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-126页 |
| 在学期间的研究成果 | 第126-127页 |
| 致谢 | 第127页 |
