| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性质 | 第11-24页 |
| 1.2.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的晶体结构 | 第11-13页 |
| 1.2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 | 第13-15页 |
| 1.2.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱结构及其物理性质 | 第15-20页 |
| 1.2.4 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子点结构及其物理性质 | 第20-22页 |
| 1.2.5 电场效应:p-n结 | 第22-24页 |
| 1.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电子器件 | 第24-28页 |
| 1.3.1 发光二极管 | 第24-25页 |
| 1.3.2 半导体激光器 | 第25-26页 |
| 1.3.3 红外探测器 | 第26-27页 |
| 1.3.4 太阳能电池 | 第27-28页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 材料外延设备及测试方法 | 第29-40页 |
| 2.1 分子束外延(MBE) | 第29-35页 |
| 2.1.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.1.2 分子束外延设备 | 第30-35页 |
| 2.2 测试方法介绍 | 第35-39页 |
| 2.2.1 高分辨X射线衍射仪 | 第35-36页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第36-37页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第37-38页 |
| 2.2.4 光致发光测试系统 | 第38-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 半导体光致发光基本原理 | 第40-44页 |
| 3.1 绪论 | 第40-41页 |
| 3.2 半导体光致发光的基本过程 | 第41-44页 |
| 3.2.1 半导体材料的光吸收 | 第41页 |
| 3.2.2 半导体材料的光吸收 | 第41-43页 |
| 3.2.3 半导体中载流子的复合过程 | 第43页 |
| 3.2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 InAs量子点结构的载流子输运特性 | 第44-74页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 实验过程 | 第45-49页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第49-73页 |
| 4.3.1 高分辨XRD表征 | 第49-50页 |
| 4.3.2 不同激发模式下量子点的光致发光 | 第50-51页 |
| 4.3.3 具有n-n结的多层InAs/GaAs量子点结构的载流子输运特性 | 第51-58页 |
| 4.3.4 具有p-n结的多层InAs/GaAs量子点结构的载流子输运特性 | 第58-61页 |
| 4.3.5 具有p-n结的多层InAs/GaAs量子点结构的吸收系数增强特性 | 第61-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 InAs量子点在太阳能电池中的应用 | 第74-83页 |
| 5.1 引言 | 第74-75页 |
| 5.2 实验过程 | 第75-76页 |
| 5.3 材料生长与表征 | 第76-78页 |
| 5.4 量子点太阳能电池的光电性质 | 第78-81页 |
| 5.5 本章小结 | 第81-83页 |
| 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-96页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第96-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
