摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第12-26页 |
1.1 碳化硅的基本性质 | 第12-14页 |
1.2 SiC粉末制备的研究现状 | 第14-18页 |
1.2.1 机械粉碎法 | 第15-16页 |
1.2.2 合成法 | 第16-18页 |
1.2.3 小结 | 第18页 |
1.3 碳化硅的成型工艺 | 第18-20页 |
1.3.1 模压成型 | 第18-19页 |
1.3.2 等静压成型 | 第19页 |
1.3.3 注浆成型 | 第19-20页 |
1.3.4 小结 | 第20页 |
1.4 碳化硅陶瓷的烧结工艺 | 第20-23页 |
1.4.1 反应烧结 | 第20-21页 |
1.4.2 重结晶烧结 | 第21页 |
1.4.3 等离子体电火花烧结 | 第21-22页 |
1.4.4 热压烧结 | 第22页 |
1.4.5 热等静压烧结 | 第22页 |
1.4.6 高压烧结 | 第22-23页 |
1.4.7 小结 | 第23页 |
1.5 本文的研究内容及技术路线 | 第23-25页 |
1.5.1 本文的研究内容 | 第23-24页 |
1.5.2 本文的技术路线 | 第24-25页 |
1.6 本章小结 | 第25-26页 |
第2章 半导体制造业用碳化硅微纳米粉体制备工艺研究 | 第26-35页 |
2.1 实验材料、分析测试方法、设备原理 | 第26-28页 |
2.1.1 实验材料 | 第26页 |
2.1.2 分析测试方法 | 第26-27页 |
2.1.3 设备原理 | 第27-28页 |
2.2 测试结果与讨论 | 第28-33页 |
2.2.1 高能纳米球磨和水流分级后SiC的粒径分析 | 第28-30页 |
2.2.2 粒度形貌分析 | 第30-31页 |
2.2.3 SiC粒径分布图分析 | 第31页 |
2.2.4 纯度分析 | 第31-32页 |
2.2.5 表面形貌分析 | 第32-33页 |
2.3 本章小结 | 第33-35页 |
第3章 微波酸/碱对微纳米碳化硅提纯工艺研究 | 第35-45页 |
3.1 实验材料、实验仪器、除杂原理 | 第35-37页 |
3.1.1 实验材料 | 第35-36页 |
3.1.2 试验装置和工艺原理介绍 | 第36页 |
3.1.3 除杂原理 | 第36-37页 |
3.2 Fe_2O_3的除杂实验 | 第37-39页 |
3.2.1 酸的浓度对去除Fe_2O_3的影响 | 第37-38页 |
3.2.2 反应温度对去除Fe_2O_3的影响 | 第38页 |
3.2.3 反应时间Fe_2O_3去除率的影响 | 第38-39页 |
3.2.4 固液比对Fe_2O_3去除率的影响 | 第39页 |
3.3 Si及SiO_2的除杂实验 | 第39-41页 |
3.3.1 碱浓度对Si及SiO_2去除率的影响 | 第39-40页 |
3.3.2 温度对Si及SiO_2去除率的影响 | 第40页 |
3.3.3 时间对Si及SiO_2去除率的影响 | 第40-41页 |
3.3.4 固液比对Si及SiO_2去除率的影响 | 第41页 |
3.4 正交试验 | 第41-43页 |
3.5 除杂前后碳化硅的形貌 | 第43页 |
3.6 除杂前后SiC成分分析 | 第43-44页 |
3.7 本章小结 | 第44-45页 |
第4章 SiC陶瓷烧结制备与表征 | 第45-62页 |
4.1 实验材料、实验仪器、除杂原理 | 第45-48页 |
4.1.1 实验材料 | 第45页 |
4.1.2 实验仪器 | 第45-46页 |
4.1.3 实验过程 | 第46-48页 |
4.2 添入Al_2O_3对SiC陶瓷的影响 | 第48-53页 |
4.2.1 低温超高压烧结对SiC密度和硬度的影响 | 第48-50页 |
4.2.2 SiC物相组成 | 第50-51页 |
4.2.3 SiC微观结构分析 | 第51-53页 |
4.3 添入Al_2O_3-Y_2O_3粉对SiC陶瓷的影响 | 第53-60页 |
4.3.1 物相分析 | 第53-54页 |
4.3.2 密度和显微硬度 | 第54-57页 |
4.3.3 微观结构 | 第57-60页 |
4.4 本章小结 | 第60-62页 |
第5章 结论 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
致谢 | 第68-69页 |
作者简介 | 第69页 |