| 摘要 | 第5-9页 |
| ABSTRACT | 第9-13页 |
| 第1章 绪论 | 第18-37页 |
| 1.1 引言 | 第18-19页 |
| 1.2 纳米材料导电性调控研究进展 | 第19-23页 |
| 1.2.1 钒氧化物金属绝缘体转变研究进展 | 第19-21页 |
| 1.2.2 石墨烯带隙调控研究进展 | 第21-23页 |
| 1.3 光催化简介 | 第23-29页 |
| 1.3.1 光催化反应和机理简介 | 第23-24页 |
| 1.3.2 光催化研究现状和进展 | 第24-25页 |
| 1.3.3 复合光催化体系简介 | 第25-29页 |
| 1.3.3.1 半导体-金属复合光催化体系 | 第25-27页 |
| 1.3.3.2 半导体-半导体复合光催化体系 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-37页 |
| 第2章 理论方法简介 | 第37-45页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第37-39页 |
| 2.1.1 价电子近似 | 第37-38页 |
| 2.1.2 Born-Oppenheimer近似 | 第38页 |
| 2.1.3 Hartree-Fock近似 | 第38-39页 |
| 2.2 密度泛函理论简介 | 第39-42页 |
| 2.2.1 密度泛函理论基础 | 第39-40页 |
| 2.2.1.1 Tomas-Fermi-Dirac理论 | 第39页 |
| 2.2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第39-40页 |
| 2.2.1.3 Kohn-Sham定理 | 第40页 |
| 2.2.2 交换关联泛函 | 第40-42页 |
| 2.2.2.1 局域密度近似(LDA) | 第41页 |
| 2.2.2.2 广义梯度近似(GGA) | 第41页 |
| 2.2.2.3 杂化泛函 | 第41-42页 |
| 2.3 量化计算软件包 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第3章 缺陷和掺杂调控材料内部电荷极化 | 第45-64页 |
| 3.1 背景介绍 | 第45页 |
| 3.2 缺陷调控电荷极化诱导金属绝缘体转变 | 第45-52页 |
| 3.2.1 计算细节 | 第46-48页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第48-51页 |
| 3.2.2.1 缺陷诱导电荷极化 | 第48-50页 |
| 3.2.2.2 缺陷浓度调控导电性 | 第50-51页 |
| 3.2.3 工作总结 | 第51-52页 |
| 3.3 掺杂调控电荷极化提高电催化产氢效率 | 第52-60页 |
| 3.3.1 计算细节 | 第52-53页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第53-59页 |
| 3.2.2.2 掺杂比例调控HER活性 | 第53-58页 |
| 3.2.2.2 表面形貌控制调控HER活性 | 第58-59页 |
| 3.3.3 工作总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 第4章 半导体-金属异质结调控界面电荷极化 | 第64-82页 |
| 4.1 背景介绍 | 第64页 |
| 4.2 CuO/Ag界面极化帮助催化CO氧化 | 第64-70页 |
| 4.2.1 计算细节 | 第65-66页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第66-69页 |
| 4.2.2.1 CuO/Ag界面极化 | 第66-68页 |
| 4.2.2.2 CuO表面极化 | 第68页 |
| 4.2.2.3 表面极化促进CO氧化 | 第68-69页 |
| 4.2.3 工作总结 | 第69-70页 |
| 4.3 g-C_3N_4/Pd界面极化帮助考察金属的晶面催化选择性 | 第70-79页 |
| 4.3.1 计算细节 | 第70-71页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第71-78页 |
| 4.3.2.1 C_3N_4/Pd界面极化 | 第71-75页 |
| 4.3.2.2 金属不同晶面对气体催化的选择性 | 第75-78页 |
| 4.3.3 工作总结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第5章 材料表面与分子、团簇相互作用调控电荷极化 | 第82-103页 |
| 5.1 背景介绍 | 第82页 |
| 5.2 金属装饰调控石墨烯吸H花纹 | 第82-90页 |
| 5.2.1 计算细节 | 第83-85页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第85-89页 |
| 5.2.2.1 金属装饰增强石墨烯H吸附能 | 第85-87页 |
| 5.2.2.2 金属团簇花纹调控吸H花纹 | 第87-89页 |
| 5.2.3 工作总结 | 第89-90页 |
| 5.3 嫁接衬底提高催化剂活性和稳定性 | 第90-97页 |
| 5.3.1 计算细节 | 第90-91页 |
| 5.3.2 结果与讨论 | 第91-96页 |
| 5.3.2.1 SiO_2衬底提高Theopold催化剂活性 | 第91-94页 |
| 5.3.2.2 SiO_2衬底提高Theopold催化剂稳定性 | 第94-96页 |
| 5.3.3 工作总结 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-103页 |
| 第6章 偶极矩描述材料表面吸附和反应性 | 第103-114页 |
| 6.1 背景介绍 | 第103-104页 |
| 6.2 周期性体系中偶极矩的计算 | 第104-106页 |
| 6.2.1 点电荷模型 | 第104-105页 |
| 6.2.2 Berry phase极化理论和波恩有效电荷 | 第105页 |
| 6.2.3 DDEC6方法 | 第105-106页 |
| 6.3 探索偶极矩夹角与分子吸附能的关系 | 第106-109页 |
| 6.4 探索偶极矩夹角与反应势垒的关系 | 第109-111页 |
| 6.5 工作总结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第116-117页 |
