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CuCr1-xMgxO2多晶、薄膜的制备及其热电输运性能研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 CuCrO_2材料体系综述第12-26页
    1.1 铜铁矿结构材料的研究背景和进展第12-13页
    1.2 晶体结构与电子结构第13-16页
    1.3 热电输运性能及电阻率各向异性第16-19页
    1.4 激光感生电压(LIV)效应介绍第19-22页
    1.5 应用前景第22-24页
    1.6 研究意义和内容第24-26页
        1.6.1 研究目的及意义第24页
        1.6.2 研究的主要内容第24-26页
第二章 实验方法第26-42页
    2.1 多晶制备第26-27页
    2.2 薄膜制备第27-33页
        2.2.1 PLD系统与工作原理第28-31页
        2.2.2 PLD技术特点与工艺变量第31-33页
    2.3 材料的表征第33-36页
        2.3.1 多晶XRD表征第33-34页
        2.3.2 薄膜XRD表征第34-35页
        2.3.3 SEM表征第35-36页
    2.4 材料的性能测试第36-39页
        2.4.1 电阻率-温度曲线第36-37页
        2.4.2 热电势-温度曲线第37-38页
        2.4.3 多晶块材磁学性能测试原理第38-39页
        2.4.4 激光感生电压信号测试第39页
    2.5 本章小结第39-42页
第三章 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶制备及性能研究第42-56页
    3.1 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶制备第42-43页
        3.1.1 原料准备第42页
        3.1.2 工艺流程第42-43页
    3.2 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶的表征第43-47页
        3.2.1 XRD相结构表征第43-44页
        3.2.2 SEM形貌观察第44-47页
    3.3 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶的热电输运性能第47-53页
        3.3.1 电阻率温度曲线第47-49页
        3.3.2 热电势-温度曲线第49-52页
        3.3.3 CuCrO_2多晶的磁性质第52-53页
    3.4 本章小结第53-56页
第四章 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜制备及电输运性质和LIV效应第56-78页
    4.1 薄膜生长第56-57页
        4.1.1 衬底和靶材第56页
        4.1.2 制备流程及生长工艺第56-57页
    4.2 薄膜相结构和取向表征第57-67页
        4.2.1 平直薄膜的XRD表征第57-60页
        4.2.2 倾斜薄膜的XRD表征第60-67页
    4.3 薄膜的ρ-T测量及电输运各向异性第67-72页
        4.3.1 平直薄膜的ρ-T曲线第67页
        4.3.2 平直与倾斜衬底上薄膜的ρ-T曲线对比第67-68页
        4.3.3 电阻率各向异性推导第68-70页
        4.3.4 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜中的电输运各向异性第70-72页
    4.4 c轴倾斜薄膜的LIV效应及机制探索第72-76页
        4.4.1 Mg掺杂量对CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜的LIV响应第72-73页
        4.4.2 不同倾斜角度对CuCr_(0.92)Mg_(0.08)O_2薄膜的LIV响应第73-75页
        4.4.3 不同激光能量密度对CuCr_(0.92)Mg_(0.08)O_2薄膜的LIV响应第75页
        4.4.4 薄膜LIV效应的机制讨论第75-76页
    4.5 本章小结第76-78页
第五章 结论与展望第78-80页
    5.1 结论第78-79页
    5.2 创新点和展望第79-80页
        5.2.1 创新点第79页
        5.2.2 展望第79-80页
致谢第80-82页
参考文献第82-90页
附录 硕士期间发表的论文第90页

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