基于180nm工艺的30MHz晶体振荡器IO接口电路的设计与实现
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第15页 |
| 1.2 国内外研究与发展现状 | 第15-16页 |
| 1.3 论文研究内容与结构安排 | 第16-19页 |
| 第二章 相关理论与原理 | 第19-25页 |
| 2.1 晶体振荡器相关理论 | 第19-22页 |
| 2.1.1 石英谐振器的主要特性 | 第19-21页 |
| 2.1.2 晶振基本工作原理与分类 | 第21-22页 |
| 2.2 集成电路接口相关理论 | 第22-23页 |
| 2.2.1 通用IO工作原理 | 第22-23页 |
| 2.2.2 集成电路接口的分类 | 第23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 晶体振荡器IO接口电路设计 | 第25-45页 |
| 3.1 电路概述 | 第25-29页 |
| 3.1.1 电路设计流程 | 第25-27页 |
| 3.1.2 电路设计指标 | 第27页 |
| 3.1.3 电路系统结构图 | 第27-29页 |
| 3.2 匹配电容的设计 | 第29-30页 |
| 3.3 基本放大电路设计 | 第30-31页 |
| 3.4 使能控制电路的设计 | 第31-33页 |
| 3.5 接收器设计 | 第33-35页 |
| 3.5.1 电平转换电路设计 | 第33-35页 |
| 3.5.2 缓冲电路的设计 | 第35页 |
| 3.6 驱动电流控制电路设计 | 第35-37页 |
| 3.7 反馈电阻设计 | 第37-39页 |
| 3.8 ESD保护电路设计 | 第39-42页 |
| 3.9 本章小结 | 第42-45页 |
| 第四章 电路仿真 | 第45-59页 |
| 4.1 仿真概述 | 第45页 |
| 4.2 功能仿真 | 第45-48页 |
| 4.3 增益仿真 | 第48-51页 |
| 4.4 起振仿真 | 第51-53页 |
| 4.5 静态电流仿真 | 第53-55页 |
| 4.6 DC仿真 | 第55-57页 |
| 4.7 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 版图设计 | 第59-63页 |
| 5.1 版图知识介绍 | 第59-60页 |
| 5.2 实际版图设计 | 第60-63页 |
| 第六章 电路测试结果与分析 | 第63-69页 |
| 6.1 电路测试的基本信息 | 第63-64页 |
| 6.2 覆盖测试结果 | 第64页 |
| 6.3 特性测试结果 | 第64-67页 |
| 6.4 ESD测试结果 | 第67页 |
| 6.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第七章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
