| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 压敏电阻器的研究意义 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3 实验选题的确立 | 第19-21页 |
| 第二章 ZnO压敏电阻器的结构及相关机理 | 第21-37页 |
| 2.1 ZnO压敏电阻器的基本结构 | 第21-23页 |
| 2.1.1 ZnO压敏电阻器的晶相 | 第21-22页 |
| 2.1.2 ZnO压敏电阻器的晶界能带结构 | 第22-23页 |
| 2.2 ZnO压敏电阻器的电性能 | 第23-28页 |
| 2.2.1 ZnO压敏电阻器的压敏电压 | 第24页 |
| 2.2.2 ZnO压敏电阻器的非线性系数 | 第24-25页 |
| 2.2.3 ZnO压敏电阻器的漏电流 | 第25页 |
| 2.2.4 ZnO压敏电阻器的能量吸收能力 | 第25-27页 |
| 2.2.5 ZnO压敏电阻器的残压比 | 第27-28页 |
| 2.3 ZnO压敏电阻器的界面导电机理 | 第28-30页 |
| 2.4 ZnO压敏电阻器的蜕化机理 | 第30-32页 |
| 2.5 ZnO压敏电阻器的失效机理 | 第32-34页 |
| 2.5.1 破裂破坏机理 | 第32-34页 |
| 2.5.2 穿孔破坏机理 | 第34页 |
| 2.6 ZnO压敏电阻器的液相烧结机理 | 第34-37页 |
| 第三章 化学共沉淀法制备纳米复合添加剂的研究 | 第37-59页 |
| 3.1 化学共沉淀法 | 第38-41页 |
| 3.1.1 化学共沉淀法 | 第38-39页 |
| 3.1.2 化学共沉淀法的主要影响因素 | 第39-41页 |
| 3.2 ZnO压敏电阻器中的添加剂 | 第41-45页 |
| 3.2.1 各添加剂的作用 | 第41-44页 |
| 3.2.2 复合添加剂组成的确定 | 第44-45页 |
| 3.3 复合添加剂的制备 | 第45-50页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第45-47页 |
| 3.3.2 微调pH值对复合添加剂粉体的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.3 粉体的XRD衍射分析 | 第49-50页 |
| 3.4 预烧温度对复合添加剂粉体的影响 | 第50-59页 |
| 3.4.1 复合添加剂前躯体的最佳预烧温度 | 第50-52页 |
| 3.4.2 最佳预烧温度的优化 | 第52-59页 |
| 第四章 ZnO压敏电阻器制备和性能测试 | 第59-71页 |
| 4.1 ZnO压敏电阻器的制备 | 第59-61页 |
| 4.1.1 实验所需仪器 | 第59页 |
| 4.1.2 ZnO压敏电阻器的制备工艺流程 | 第59-61页 |
| 4.2 ZnO压敏电阻元件性能测试 | 第61-64页 |
| 4.2.1 ZnO压敏电阻元件的SEM扫描电镜测试 | 第61-62页 |
| 4.2.2 压敏元件的小电流和通流能力测试 | 第62-64页 |
| 4.3 热老练工艺对ZnO压敏电阻器性能的影响 | 第64-67页 |
| 4.3.1 热老练的原理 | 第64页 |
| 4.3.2 热老练实验及分析 | 第64-67页 |
| 4.4 电老练工艺对ZnO压敏电阻器性能的影响 | 第67-71页 |
| 4.4.1 电老练的原理 | 第67页 |
| 4.4.2 电老练实验及分析 | 第67-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |