| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第1章 分子电子学 | 第12-24页 |
| 1.1 分子电子学 | 第12-13页 |
| 1.2 实验技术手段和方法 | 第13-16页 |
| 1.2.1 扫描隧道显微镜 | 第13-14页 |
| 1.2.2 力学成形劈裂结 | 第14-15页 |
| 1.2.3 其他实验技术 | 第15-16页 |
| 1.3 单分子器件 | 第16-20页 |
| 1.3.1 分子开关 | 第16页 |
| 1.3.2 负微分电阻器件 | 第16-17页 |
| 1.3.3 自旋过滤器 | 第17页 |
| 1.3.4 单分子整流器 | 第17页 |
| 1.3.5 分子导线 | 第17-18页 |
| 1.3.6 场效应晶体管 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第2章 电子密度泛函理论与输运理论 | 第24-44页 |
| 2.1 电子密度泛函理论 | 第24-33页 |
| 2.1.1 背景介绍 | 第24-30页 |
| 2.1.2 交换关联泛函 | 第30-33页 |
| 2.2 电子输运理论 | 第33-37页 |
| 2.2.1 Landauer-Buttiker理论 | 第33-34页 |
| 2.2.2 非平衡态格林函数方法 | 第34-37页 |
| 2.3 第一性原理常用软件包 | 第37-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 第3章 Fe-N_4S_2配合物的输运性质研究 | 第44-64页 |
| 3.1 单分子磁体 | 第44页 |
| 3.2 铁基单分子磁体 | 第44-46页 |
| 3.3 Fe(Ⅱ)与N_4S_2配合物的研究背景 | 第46-55页 |
| 3.3.1 理论计算方法和参数设置 | 第48页 |
| 3.3.2 自由分子的几何和电子结构 | 第48-50页 |
| 3.3.3 分子结模型以及输运性质 | 第50-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 第4章 场致铁基单分子磁体开关机理的理论研究 | 第64-78页 |
| 4.1 压致翻转 | 第64-65页 |
| 4.2 实验背景 | 第65-66页 |
| 4.3 Fe(Ⅱ)-N_6的不同场强下的几何结构 | 第66-68页 |
| 4.4 理论计算模型模型与相关输运性质 | 第68-72页 |
| 4.4.1 分子结模型与相关输运性质 | 第68-70页 |
| 4.4.2 电极大小以及连接方式对输运性质的影响 | 第70-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 附录 离子对输运性质的调制 | 第78-86页 |
| A.1 分子以及离子对输运性质的影响 | 第78-80页 |
| A.2 离子影响下的羟醛反应 | 第80-81页 |
| A.2.1 羟醛反应 | 第80页 |
| A.2.2 离子特异性 | 第80页 |
| A.2.3 实验体系简介 | 第80-81页 |
| A.3 反应分子以及过渡态的几何结构 | 第81-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第92页 |