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基于光激电流法研究聚酰亚胺/TiO2和聚酰亚胺/SiO2的介电性能

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-14页
    1.1 课题研究背景及意义第10-11页
    1.2 聚酰亚胺及复合薄膜的研究现状第11-13页
    1.3 本论文主要研究内容第13-14页
第2章 实验材料及测试方法第14-18页
    2.1 实验原料与实验仪器第14-15页
        2.1.1 实验原料第14页
        2.1.2 实验仪器第14-15页
    2.2 结构测试方法第15页
        2.2.1 红外吸收光谱测试(FTIR)第15页
        2.2.2 扫描电镜(SEM)第15页
        2.2.3 小角X射线散射测试(SAXS)第15页
    2.3 性能测试方法第15-17页
        2.3.1 光刺激放电(PSD)测试第15-16页
        2.3.2 介电谱测试第16页
        2.3.3 交流击穿场强测试第16页
        2.3.4 耐电晕寿命测试第16-17页
    2.4 本章小结第17-18页
第3章 PI/SiO_2和PI/TiO_2复合薄膜的制备第18-23页
    3.1 纳米颗粒结构及特性第18-20页
        3.1.1 纳米二氧化钛的结构及特性第18-19页
        3.1.2 纳米二氧化硅的结构及特性第19-20页
    3.2 PI/SiO_2和PI/TiO_2复合薄膜的制备流程第20-22页
        3.2.1 聚酰亚胺的合成机理第20-21页
        3.2.2 复合薄膜的制备第21-22页
    3.3 本章小结第22-23页
第4章 颗粒掺杂对复合薄膜结构的影响第23-37页
    4.1 复合薄膜表面及断面形貌第23-25页
        4.1.1 PI/TiO_2复合薄膜表面及断面形貌第23-24页
        4.1.2 PI/SiO_2复合薄膜表面及断面形貌第24-25页
        4.1.3 PI/TiO_2和PI/SiO_2复合薄膜形貌测试结果对比第25页
    4.2 红外吸收光谱测试(FTIR)第25-28页
        4.2.1 PI/TiO_2复合薄膜红外吸收光谱第26-27页
        4.2.2 PI/SiO_2复合薄膜红外吸收光谱第27-28页
        4.2.3 PI/TiO_2和PI/SiO_2复合薄膜FTIR测试结果对比第28页
    4.3 小角X射线散射测试(SAXS)第28-36页
        4.3.1 PI/TiO_2复合薄膜的SAXS结构表征第28-33页
        4.3.2 PI/SiO_2复合薄膜的SAXS结构表征第33-36页
        4.3.3 PI/TiO_2和PI/SiO_2复合薄膜SAXS测试结果对比第36页
    4.4 本章小结第36-37页
第5章 颗粒掺杂对复合薄膜性能的影响第37-54页
    5.1 光激电流法测试陷阱能级第37-42页
    5.2 复合薄膜的介电性能第42-50页
        5.2.1 PI/TiO_2复合薄膜的介电性能第43-47页
        5.2.2 PI/SiO_2复合薄膜的介电性能第47-50页
        5.2.3 介电性能实验结果与讨论第50页
    5.3 交流击穿场强和耐电晕测试结果与分析第50-53页
        5.3.1 复合薄膜的交流击穿场强第50-51页
        5.3.2 复合薄膜的耐电晕寿命第51-53页
    5.4 本章小结第53-54页
结论第54-55页
参考文献第55-61页
攻读学位期间发表的学术论文第61-62页
致谢第62页

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