内容提要 | 第4-9页 |
第一章 绪论 | 第9-56页 |
1.1 纳米科学与纳米技术概述 | 第9-13页 |
1.1.1 纳米材料的定义及分类 | 第9-10页 |
1.1.2 纳米材料的制备方法概述 | 第10-12页 |
1.1.3 纳米材料的应用概述 | 第12-13页 |
1.2 超分子自组装概述 | 第13-31页 |
1.2.1 超分子自组装的驱动力 | 第14-17页 |
1.2.1.1 基于氢键与 π-π 堆积协同作用的超分子自组装体系 | 第14-15页 |
1.2.1.2 基于亲水/疏水作用形成的超分子体系 | 第15页 |
1.2.1.3 基于配位作用的超分子体系 | 第15-17页 |
1.2.2 有机小分子纳米聚集态结构的制备 | 第17-27页 |
1.2.2.1 经典自组装法 | 第17-21页 |
1.2.2.2 化学反应法 | 第21-22页 |
1.2.2.3 软模板法 | 第22-24页 |
1.2.2.4 硬模板法 | 第24-25页 |
1.2.2.5 气相沉积法 | 第25-27页 |
1.2.3 卟啉及其衍生物的聚集态的研究进展 | 第27-31页 |
1.3 一维导电共轭聚合物 | 第31-42页 |
1.3.1 一维导电共轭聚合物的制备方法 | 第31-36页 |
1.3.1.1 模板法 | 第32页 |
1.3.1.2 静电纺丝法 | 第32-34页 |
1.3.1.3 纳米刻蚀技术 | 第34-35页 |
1.3.1.4 自组装技术 | 第35-36页 |
1.3.2 一维导电共轭聚合物的性质和应用 | 第36-42页 |
1.3.2.1 光学性质 | 第36-37页 |
1.3.2.2 电学性质 | 第37-38页 |
1.3.2.3 场发射性质 | 第38-39页 |
1.3.2.4 场效应晶体管性质 | 第39-40页 |
1.3.2.5 有机光伏性能 | 第40页 |
1.3.2.6 传感器 | 第40-41页 |
1.3.2.7 激光和纳米光子学 | 第41-42页 |
1.4 一维无机纳米材料概述 | 第42-43页 |
1.4.1 一维元素半导体纳米材料 | 第42-43页 |
1.4.2 一维无机非金属化合物半导体纳米材料 | 第43页 |
1.5 一维半导体异质结纳米材料 | 第43-54页 |
1.5.1 半导体异质结概述 | 第43-44页 |
1.5.2 安德森能带模型 | 第44页 |
1.5.3 一维异质结纳米材料的研究进展 | 第44-54页 |
1.5.3.1 无机/无机异质结纳米材料 | 第44-46页 |
1.5.3.2 无机/有机异质结纳米材料 | 第46-52页 |
1.5.3.3 有机/有机异质结纳米材料 | 第52-54页 |
1.6 本论文立题思想及研究内容 | 第54-56页 |
第二章 具有高指数晶面的卟啉二维纳米晶的可控制备 | 第56-78页 |
2.1 引言 | 第56-57页 |
2.2 实验部分 | 第57-60页 |
2.2.1 实验试剂 | 第57页 |
2.2.2 测试仪器 | 第57-58页 |
2.2.3 TCPP二维纳米晶的制备 | 第58-60页 |
2.2.3.1 5,10,15,20-四(4-羧基苯基)卟啉(TCPP)的合成 | 第58-59页 |
2.2.3.2 二维金属卟啉配合物纳米材料的制备 | 第59页 |
2.2.3.3 自组装法制备TCPP纳米棒 | 第59-60页 |
2.2.3.4 TCPP二维纳米晶的制备 | 第60页 |
2.3 结果与讨论 | 第60-77页 |
2.3.1 二维金属卟啉配合物纳米材料的表征 | 第60-65页 |
2.3.2 TCPP二维纳米晶的制备、表征及机理研究 | 第65-77页 |
2.3.2.1 TCPP二维纳米晶的形貌和结构 | 第65-72页 |
2.3.2.2 TCPP二维纳米晶的生长机理研究 | 第72-75页 |
2.3.2.3 TCPP二维纳米晶的光学性质 | 第75-77页 |
2.3.2.4 TCPP二维纳米晶的电学性质 | 第77页 |
2.4 本章小结 | 第77-78页 |
第三章 石墨炔/硫化铜有机无机核-壳异质结纳米线的可控制备及性能研究 | 第78-92页 |
3.1 引言 | 第78-79页 |
3.2 实验部分 | 第79-82页 |
3.2.1 实验试剂 | 第79-80页 |
3.2.2 测试仪器 | 第80页 |
3.2.3 GD/CuS有机无机核-壳异质结纳米线的制备 | 第80-82页 |
3.2.3.1 六(三甲基硅炔基)苯的合成 | 第80-81页 |
3.2.3.2 石墨炔(Graphdiyne)纳米线的制备 | 第81页 |
3.2.3.3 硫化铜(CuS)纳米壳的制备 | 第81-82页 |
3.2.3.4 CuS纳米线的制备 | 第82页 |
3.2.3.5 单根GD/CuS有机无机核-壳异质结纳米线器件的构筑 | 第82页 |
3.3 结果与讨论 | 第82-91页 |
3.3.1 GD/CuS有机无机核-壳结构异质结纳米线的表征 | 第82-89页 |
3.3.2 GD/CuS有机无机核-壳异质结纳米线的电学性质的研究 | 第89-91页 |
3.4 本章小结 | 第91-92页 |
第四章 聚噻吩[3,2-b]噻吩/硫化镉异质结纳米线的可控制备及性质研究 | 第92-109页 |
4.1 引言 | 第92-93页 |
4.2 实验部分 | 第93-95页 |
4.2.1 实验试剂 | 第93页 |
4.2.2 测试仪器 | 第93-94页 |
4.2.3 PTTh/CdS异质结纳米线的可控制备 | 第94-95页 |
4.2.3.1 PTTh纳米线、纳米管的制备 | 第94页 |
4.2.3.2 PTTh/CdS异质结纳米线的制备 | 第94-95页 |
4.2.3.3 CdS纳米线的制备 | 第95页 |
4.2.3.4 单根PTTh/CdS异质结纳米线器件的构筑 | 第95页 |
4.3 结果与讨论 | 第95-108页 |
4.3.1 PTTh/CdS异质结纳米线的表征 | 第95-106页 |
4.3.2 PTTh/CdS异质结纳米线的电学性质的研究 | 第106-108页 |
4.4 本章小结 | 第108-109页 |
第五章 卟啉二炔聚合物/硫化铜异质结纳米线的制备及光电性质的研究 | 第109-121页 |
5.1 引言 | 第109页 |
5.2 实验部分 | 第109-112页 |
5.2.1 实验试剂 | 第109-110页 |
5.2.2 测试仪器 | 第110-111页 |
5.2.3 PTEPP/CuS核-壳异质结纳米线的制备 | 第111-112页 |
5.2.3.1 PTEPP纳米管的制备 | 第111页 |
5.2.3.2 PTEPP/CuS核-壳异质结纳米线的制备 | 第111-112页 |
5.2.3.3 CuS纳米线的制备 | 第112页 |
5.2.3.4 单根PTEPP/CuS核-壳异质结纳米线器件的构筑 | 第112页 |
5.3 结果与讨论 | 第112-119页 |
5.3.1 PTEPP/CuS核-壳异质结纳米线的表征 | 第112-118页 |
5.3.2 PTEPP/CuS核-壳异质结纳米线的光电性质研究 | 第118-119页 |
5.4 本章小结 | 第119-121页 |
第六章 结论 | 第121-123页 |
参考文献 | 第123-149页 |
作者简历 | 第149-153页 |
致谢 | 第153-155页 |
摘要 | 第155-157页 |
Abstract | 第157-159页 |