中文摘要 | 第10-12页 |
Abstract | 第12-14页 |
第一章 绪论 | 第15-35页 |
1.1 有机-无机复合半导体材料概述 | 第15-18页 |
1.2 有机-无机复合半导体国内外研究进展 | 第18-20页 |
1.3 本论文涉及的材料体系概述 | 第20-24页 |
1.4 本论文主要内容 | 第24-26页 |
1.5 样品的测试表征方法 | 第26-28页 |
参考文献 | 第28-35页 |
第二章 SnO_2多孔纳米固体的制备及其性能表征 | 第35-50页 |
2.1 引言 | 第35页 |
2.2 SnO_2多孔纳米固体制备装置及原理 | 第35-37页 |
2.3 SnO_2多孔纳米固体的测试方法 | 第37-38页 |
2.4 SnO_2多孔纳米固体的制备及表征 | 第38-41页 |
2.4.1 制备方法 | 第38-39页 |
2.4.2 性质表征 | 第39-41页 |
2.5 SnO_2多孔纳米固体性能的影响因素 | 第41-46页 |
2.5.1 造孔剂用量的影响 | 第41-42页 |
2.5.2 热压温度的影响 | 第42-43页 |
2.5.3 热压压力的影响 | 第43-44页 |
2.5.4 热处理温度的影响 | 第44-45页 |
2.5.5 热处理气氛的影响 | 第45-46页 |
2.6 本章小结 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-50页 |
第三章 有机半导体迁移率测试方法及P3HT薄膜的制备 | 第50-68页 |
3.1 引言 | 第50页 |
3.2 有机半导体迁移率的测试方法 | 第50-53页 |
3.3 交流辅助TOF测试方法 | 第53-61页 |
3.3.1 概述 | 第53-54页 |
3.3.2 实验设计 | 第54页 |
3.3.3 P3HT的阻抗行为 | 第54-56页 |
3.3.4 机理解释 | 第56-58页 |
3.3.5 交流辅助TOF测试的电信号设置 | 第58-60页 |
3.3.6 测试结果 | 第60-61页 |
3.4 特殊条件下P3HT薄膜的处理及渡越时间的测定 | 第61-65页 |
3.4.1 含氧高压气体中P3HT的变化情况 | 第61-64页 |
3.4.2 高压气氛中P3HT的渡越时间 | 第64-65页 |
3.5 本章小结 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-68页 |
第四章 P3HT与SnO_2的界面浸润性研究 | 第68-75页 |
4.1 引言 | 第68-69页 |
4.2 接触角的原位测试设备 | 第69页 |
4.3 界面接触角的原位测试结果及分析 | 第69-72页 |
4.3.1 高压氩气中P3HT熔体与ITO电极间的界面接触角 | 第70页 |
4.3.2 高压氮气中P3HT熔体与ITO电极间的界面接触角 | 第70-71页 |
4.3.3 高压氩气中P3HT熔体与SnO_2间的界面接触角 | 第71-72页 |
4.3.4 高压氩气中P3HT熔体与TiO_2间的界面接触角 | 第72页 |
4.4 本章小结 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-75页 |
第五章 高迁移率P3HT-SnO_2复合半导体的研制 | 第75-96页 |
5.1 引言 | 第75-76页 |
5.2 P3HT-SnO_2多孔纳米固体复合半导体的制备 | 第76-79页 |
5.2.1 制备过程 | 第76-77页 |
5.2.2 样品的表征 | 第77-79页 |
5.3 P3HT-SnO_2复合半导体的结构及电输运性能测试 | 第79-86页 |
5.3.1 P3HT-SnO_2复合半导体的结构表征 | 第79-80页 |
5.3.2 P3HT与SnO_2之间成键的直接证据 | 第80-82页 |
5.3.3 P3HT-SnO_2多孔纳米固体复合半导体的电输运性能 | 第82-86页 |
5.4 影响P3HT-SnO_2多孔纳米固体复合半导体电输运性能的关键因素 | 第86-91页 |
5.4.1 P3HT浓度的影响 | 第86-87页 |
5.4.2 温度的影响 | 第87页 |
5.4.3 SnO_2多孔纳米固体迁移率的影响 | 第87-88页 |
5.4.4 不同复合方法的影响 | 第88-89页 |
5.4.5 实验结果的可重复性 | 第89-91页 |
5.5 本章小结 | 第91-92页 |
参考文献 | 第92-96页 |
第六章 结论和工作展望 | 第96-99页 |
6.1 主要结论 | 第96-97页 |
6.2 论文创新点 | 第97页 |
6.3 工作展望 | 第97-99页 |
致谢 | 第99-100页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第100-101页 |
附外文论文 | 第101-108页 |
附件 | 第108页 |