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石墨相氮化碳的制备、改性及其光催化性能研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-11页
1 绪论第11-31页
   ·引言第11-12页
   ·半导体光催化简介第12-15页
     ·半导体光催化原理第12-13页
     ·半导体光催化材料第13页
     ·影响光催化材料性能的主要因素第13-15页
   ·石墨相氮化碳(g-C_3N_4)材料简介第15-23页
     ·g-C_3N_4的研究历史及结构概述第15-16页
     ·g-C_3N_4的制备第16-20页
       ·固相反应法第16-18页
       ·溶剂热法第18页
       ·电化学沉积法第18-19页
       ·热聚合法第19-20页
     ·g-C_3N_4在光催化领域的运用第20-22页
       ·光催化降解污染物第20页
       ·光催化水解制氢制氧第20-21页
       ·光催化有机合成第21页
       ·光催化氧气还原第21-22页
     ·g-C_3N_4在其他领域的应用第22-23页
       ·反应前驱物第22页
       ·催化剂载体和储能材料第22-23页
       ·传感器第23页
   ·提升g-C_3N_4光催化性能的方法及研究进展第23-28页
     ·复合改性第24-25页
     ·掺杂改性第25-26页
     ·微观结构调整第26-28页
       ·多孔结构第27-28页
       ·纳米颗粒和纳米棒第28页
       ·纳米薄层第28页
   ·本文的选题依据及主要研究内容第28-30页
     ·选题依据第28-29页
     ·主要研究内容第29-30页
   ·项目来源第30-31页
2 实验部分第31-36页
   ·实验原料和仪器第31-32页
     ·实验原料第31页
     ·实验仪器第31页
     ·测试仪器第31-32页
   ·实验方法第32-36页
     ·g-C_3N_4的氧化刻蚀改性第32-33页
     ·光沉积法制备Ag/g-C_3N_4复合纳米片第33页
     ·g-C_3N_4的球磨改性第33页
     ·混合前驱体煅烧制备高结晶性g-C_3N_4纳米片第33-35页
     ·材料的光催化性能表征第35-36页
3 g-C_3N_4氧化刻蚀改性工艺及性能研究第36-49页
   ·g-C_3N_4氧化刻蚀改性工艺对其光催化性能的影响第36-41页
     ·乙酸加入量对g-C_3N_4氧化刻蚀改性后光催化性能的影响第36-37页
     ·H_2O_2加入量对g-C_3N_4改性后光催化性能的影响第37-39页
     ·改性温度对g-C_3N_4改性后光催化性能的影响第39-41页
   ·g-C_3N_4改性前后的材料表征第41-46页
     ·X射线衍射(XRD)第41-42页
     ·红外光谱(IR)第42-43页
     ·扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDS)第43页
     ·透射电镜表征(TEM)第43-44页
     ·紫外-可见漫散射谱(UV-vis)第44-45页
     ·荧光光谱(PL)第45-46页
   ·氧化刻蚀改性g-C_3N_4光催化提升机理探讨第46-47页
   ·本章小结第47-49页
4 Ag/g-C_3N_4复合纳米片光催化材料制备工艺优选及性能研究第49-58页
   ·Ag/g-C_3N_4复合纳米片光催性能的研究第49-51页
   ·Ag/g-C_3N_4纳米片的样品表征第51-55页
     ·X射线衍射(XRD)第51页
     ·红外光谱(IR)第51-52页
     ·X射线光电子能谱(XPS)第52-53页
     ·透射电镜表征(TEM)第53-54页
     ·紫外-可见吸收光谱(UV-vis)第54-55页
     ·荧光光谱(PL)第55页
   ·Ag/g-C_3N_4纳米片光催化性能提升机理探讨第55-56页
   ·本章小结第56-58页
5 球磨改性g-C_3N_4的工艺探索和性能研究第58-63页
   ·球磨时间对改性g-C_3N_4光催化性能的影响第58-59页
   ·球磨改性g-C_3N_4的样品表征第59-62页
     ·X射线衍射(XRD)第59-60页
     ·透射电镜表征(TEM)第60-61页
     ·紫外-可见吸收光谱(UV-vis)第61-62页
   ·本章小结第62-63页
6 高结晶性g-C_3N_4纳米片的制备工艺探索及性能研究第63-80页
   ·混合前驱体煅烧制备g-C_3N_4纳米片的工艺对其光催化性能的影响第63-70页
     ·尿素与三聚氰胺的配比对制备g-C_3N_4纳米片光催化降解罗丹明B性能的影响第63-65页
     ·煅烧时间对混合前驱体制备g-C_3N_4纳米片光催化降解罗丹明B性能的影响第65-66页
     ·温度对混合前驱体制备g-C_3N_4纳米片光催化降解罗丹明B性能的影响第66-68页
     ·烧结密闭性对制备g-C_3N_4纳米片光催化降解罗丹明B性能的影响第68-69页
     ·UCN、MCN、UMCN-5:2的光催化降解亚甲基蓝表征第69-70页
   ·混合前驱体煅烧制备g-C_3N_4纳米片的样品表征第70-77页
     ·X射线衍射(XRD)第70-72页
     ·透射电镜表征(TEM)第72-73页
     ·高分辨透射电镜表征(HRTEM)第73-74页
     ·紫外-可见吸收光谱(UV-vis)第74-76页
     ·荧光光谱(PL)第76页
     ·阻抗(EIS)第76-77页
   ·光催化提升机理第77-78页
   ·本章小结第78-80页
7 全文总结及展望第80-82页
参考文献第82-88页
致谢第88-89页
攻读硕士期间主要成绩第89-90页

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