致谢 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-11页 |
第一章 绪论 | 第11-33页 |
·引言 | 第11-13页 |
·3,4-烷氧取代聚噻吩的主要合成方法 | 第13-21页 |
·电化学聚合 | 第13-14页 |
·化学氧化聚合法 | 第14-16页 |
·格氏易位聚合法(GRIM) | 第16-17页 |
·芳环C-H键直接芳基化(Direct C-H Arylation) | 第17-20页 |
·路易酸催化的链锁成长聚合法 | 第20-21页 |
·聚合物后改性修饰方法 | 第21-23页 |
·叠氮-炔环加成反应进行的聚合物后改性修饰 | 第21-22页 |
·通过巯基-二硫键转化反应进行的聚合物后改性修饰 | 第22页 |
·通过Diels-Alder反应的聚合物后改性修饰 | 第22-23页 |
·聚噻吩的主要应用领域 | 第23-27页 |
·金属防腐涂层 | 第23-24页 |
·有机太阳能电池 | 第24-27页 |
参考文献 | 第27-33页 |
第二章 降冰片烯取代的聚(3,4-异丙基二氧噻吩)的合成、表征和后改性修饰 | 第33-53页 |
·引言 | 第33-34页 |
·结果和讨论 | 第34-42页 |
·降冰片烯取代 3,4-异丙基二氧噻吩的合成 | 第34-36页 |
·格氏易位聚合(GRIM) | 第36-38页 |
·叠氮-炔反应进行的聚合物后改性修饰 | 第38-39页 |
·三乙二醇取代聚(3,4-异丙基二氧噻吩)物理性质研究 | 第39-42页 |
·实验部分 | 第42-48页 |
·实验仪器和试剂 | 第42页 |
·实验步骤和数据 | 第42-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-53页 |
第三章 羟基功能化基团取代聚 3,4-异丙基二氧噻吩的合成和表征 | 第53-67页 |
·引言 | 第53-54页 |
·结果和讨论 | 第54-61页 |
·ProDOT(CH2Br)2 单体的合成 | 第54-55页 |
·格氏易位聚合(GRIM) | 第55-58页 |
·巯基-溴点击反应进行的后改性修饰 | 第58-59页 |
·后改性聚合物的光物理特性研究 | 第59-61页 |
·实验部分 | 第61-63页 |
·实验仪器和试剂 | 第61页 |
·实验步骤和数据 | 第61-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-67页 |
第四章 聚氨酯丙烯酸酯/聚噻吩紫外光固化涂层的抗腐蚀性能 | 第67-83页 |
·引言 | 第67-68页 |
·结果和讨论 | 第68-77页 |
·二丁基取代聚(3,4-异丙基二氧噻吩)的合成和表征 | 第68-70页 |
·掺杂Poly(ProDotBu2)的PUA涂层的制备和表征 | 第70-72页 |
·掺杂Poly(ProDotBu2)的PUA涂层的开路电位测试 | 第72-73页 |
·掺杂Poly(ProDotBu2)的PUA涂层的动电位极化研究 | 第73-74页 |
·掺杂Poly(ProDotBu2)的PUA涂层的交流阻抗谱的研究 | 第74-77页 |
·实验部分 | 第77-79页 |
·实验试剂和仪器 | 第77-78页 |
·聚氨酯丙烯酸中掺杂噻吩紫外光固化复合涂层的制备 | 第78-79页 |
·本章小结 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-83页 |
第五章C-H键直接芳基化-ATRP合成聚苯乙烯长链取代PEDOT | 第83-101页 |
·引言 | 第83-85页 |
·结果和讨论 | 第85-93页 |
·苄溴引发剂EDOT-Ph-MeBr和单体EDOT-C10-Br2的合成 | 第85-87页 |
·单体EDOT-C10-Br2的合成 | 第87-89页 |
·ATRP聚合合成大分子单体 | 第89-91页 |
·C-H直接芳基化聚合 | 第91-92页 |
·聚苯乙烯悬挂的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)的物理性质研究 | 第92-93页 |
·实验部分 | 第93-98页 |
·实验仪器和试剂 | 第93-94页 |
·实验步骤和数据 | 第94-98页 |
·本章小结 | 第98-99页 |
参考文献 | 第99-101页 |
硕士期间工作成果 | 第101-102页 |
作者简介 | 第102页 |