| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·前言 | 第11-12页 |
| ·光催化 | 第12-20页 |
| ·光催化制氢 | 第12-15页 |
| ·光催化降解有机污染物 | 第15-17页 |
| ·影响光催化效率的因素 | 第17-18页 |
| ·半导体光催化材料 | 第18-20页 |
| ·半导体纳米薄膜及其制备 | 第20-25页 |
| ·半导体纳米薄膜 | 第20-22页 |
| ·半导体纳米薄膜的制备 | 第22-24页 |
| ·复合半导体光催化剂的研究进展以及电沉积法在制备中的应用 | 第24-25页 |
| ·本论文的选题背景和研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 电沉积法制备CdS/CdSe双层薄膜及其光电化学性质研究 | 第27-52页 |
| ·前言 | 第27-28页 |
| ·CdS薄膜的退火处理以及CdSe薄膜的厚度对CdS/CdSe光电化学性质的影响 | 第28-39页 |
| ·薄膜的制备、表征及光电化学性质测试 | 第28-29页 |
| ·实验结果及分析 | 第29-39页 |
| ·比较不同方法制备的CdS/CdSe双层薄膜结构及其光催化性能的差异 | 第39-51页 |
| ·实验部分 | 第39-40页 |
| ·实验结果及分析 | 第40-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第三章 电沉积法制备TiO_2/CdSe复合薄膜及其光催化降解有机物的研究 | 第52-64页 |
| ·前言 | 第52-53页 |
| ·实验部分 | 第53-54页 |
| ·电沉积制备TiO_2/CdSe复合薄膜 | 第53页 |
| ·TiO_2薄膜和TiO_2/CdSe复合薄膜的表征 | 第53-54页 |
| ·TiO_2/CdSe复合薄膜光催化降解有机物测试 | 第54页 |
| ·实验结果与分析 | 第54-63页 |
| ·TiO_2薄膜的表征及生长机理 | 第54-57页 |
| ·TiO_2/CdSe的表征 | 第57-60页 |
| ·TiO_2/CdSe复合薄膜光催化亚甲基蓝降解及机理分析 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 电沉积法制备SnS/SnSe复合薄膜及其光电化学性能研究 | 第64-79页 |
| ·前言 | 第64-65页 |
| ·实验部分 | 第65-66页 |
| ·SnS、SnSe薄膜和SnS/SnSe复合薄膜的制备 | 第65页 |
| ·样品的表征 | 第65-66页 |
| ·样品的光电化学性质测试 | 第66页 |
| ·实验结果与讨论 | 第66-78页 |
| ·SnS和SnSe薄膜的循环伏安分析及沉积电位的确定 | 第66-69页 |
| ·SnS、SnSe和SnS/SnSe薄膜的表征 | 第69-76页 |
| ·SnS、SnSe和SnS/SnSe薄膜的光电化学性质的测试 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 三元硫化物Ag_8SnS_6第一性原理计算及其电沉积法制备 | 第79-98页 |
| ·前言 | 第79-80页 |
| ·第一性原理计算Ag_8SnS_6的电学、光学、表面能和功函数 | 第80-91页 |
| ·计算方法及参数设置 | 第80页 |
| ·计算结果和讨论 | 第80-91页 |
| ·电沉积法制备Ag_8SnS_6薄膜及表征 | 第91-97页 |
| ·两步法制备Ag_8SnS_6薄膜 | 第91-92页 |
| ·Ag_8SnS_6的表征方法 | 第92页 |
| ·结果与讨论 | 第92-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第六章 结论与展望 | 第98-102页 |
| ·结论 | 第98-100页 |
| ·展望 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-118页 |
| 附录 | 第118页 |
