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分级多孔二氧化锡的制备及其气敏性能研究

摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第一章 绪论第9-23页
   ·前言第9-10页
   ·半导体金属氧化物气敏材料第10-13页
     ·SnO_2气敏材料及气敏机理简介第10-12页
     ·提高半导体金属氧化物气敏性能的主要方法第12-13页
   ·分级多孔材料第13-16页
     ·分级多孔材料的气敏性能研究现状第13页
     ·单层次多孔材料的制备方法第13-15页
     ·分级多孔结构气敏材料存在的难点与挑战第15-16页
   ·气敏元件的结构和特性参数第16-18页
     ·气敏元件的结构类型第16-17页
     ·气敏元件的特性参数第17-18页
   ·本课题研究的意义及内容第18-19页
     ·本课题研究的意义第18页
     ·本课题研究的主要内容第18-19页
   ·参考文献第19-23页
第二章 实验药品、仪器及表征技术第23-26页
   ·实验药品和仪器第23-26页
     ·实验药品第23-24页
     ·仪器设备第24页
     ·表征方法第24-26页
第三章 开放式分级多孔结构SnO_2的制备及表征第26-34页
   ·引言第26页
   ·实验部分第26-27页
     ·单分散PS微球的无皂乳液聚合制备第26-27页
     ·前驱液的制备第27页
     ·开放式分级多孔结构SnO_2的制备第27页
     ·表征方法第27页
   ·结果与讨论第27-32页
     ·单分散PS微球制备与表征第27-29页
       ·单分散PS微球的红外表征第27-28页
       ·单分散PS微球的SEM表征第28-29页
     ·分级多孔SnO_2材料的最佳制备条件的探索第29-31页
       ·前驱液浓度对分级多孔结构的影响第29-30页
       ·烧结温度对分级多孔的影响第30-31页
     ·开放式分级多孔SnO_2物相与结构表征第31-32页
       ·开放式分级多孔SnO_2的XRD表征第31页
       ·开放式分级多孔SnO_2的电镜表征第31-32页
   ·本章小结第32页
   ·参考文献第32-34页
第四章 分级多孔SnO_2的气敏性能研究第34-48页
   ·引言第34页
   ·实验部分第34-37页
     ·气敏元件的制备第34-36页
     ·气敏性能的测试第36页
     ·表征方法第36-37页
   ·结果与讨论第37-45页
     ·分级多孔结构SnO_2气敏性能分析第37-41页
       ·不同老化时间第37页
       ·不同工作温度第37-39页
       ·不同气体浓度第39-40页
       ·不同气体氛围第40-41页
     ·开放式分级多孔结构对气敏性能的影响第41-45页
       ·对气敏响应值和响应恢复时间的影响第42-43页
       ·对最佳工作温度的影响第43-44页
       ·不同形貌SnO_2材料的乙醇气敏性能对比第44-45页
   ·本章小结第45页
   ·参考文献第45-48页
第五章 稀土掺杂(Ce、La)分级多孔二氧化锡的气敏性能研究第48-59页
   ·引言第48-49页
   ·实验部分第49-50页
     ·合成工艺第49页
     ·气敏元件制备及测试第49-50页
     ·表征方法第50页
   ·结果与讨论第50-56页
     ·铈掺杂分级多孔SnO_2的表征与气敏性能分析第50-53页
       ·铈掺杂分级多孔SnO_2的物相表征第50-51页
       ·铈掺杂对气敏响应值的影响第51-52页
       ·铈掺杂对最佳工作温度的影响第52-53页
     ·镧掺杂分级多孔SnO_2的表征与气敏性能分析第53-56页
       ·镧掺杂分级多孔SnO_2的物相表征第53-54页
       ·镧掺杂对气敏响应值的影响第54-55页
       ·镧掺杂对最佳工作温度的影响第55-56页
   ·本章小结第56-57页
   ·参考文献第57-59页
第六章 结论与创新点第59-61页
   ·本文主要结论第59-60页
   ·本文主要创新点第60-61页
致谢第61-62页
攻读学位期间发表的文章(专利)与参加会议第62-63页

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