| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·氧化物半导体 p-n 结发展及研究现状 | 第9-13页 |
| ·光刻技术 | 第13页 |
| ·论文前期工作基础 | 第13页 |
| ·研究内容及章节安排 | 第13-16页 |
| 第2章 异质 p-n 结的理论基础 | 第16-22页 |
| ·p-n 结及其能带图 | 第16-18页 |
| ·突变反型异质结的能带图 | 第18-19页 |
| ·突变反型异质结的接触电势差 | 第19-21页 |
| ·突变反型异质结的势垒电容 | 第21-22页 |
| 第3章 制备方法及表征手段 | 第22-31页 |
| ·电子束蒸发系统 | 第22-23页 |
| ·匀胶机 | 第23-24页 |
| ·烘烤机 | 第24-25页 |
| ·紫外光刻机 | 第25-26页 |
| ·快速热退火炉 | 第26-28页 |
| ·光谱椭圆偏振仪 | 第28-29页 |
| ·紫外光电子能谱 | 第29-30页 |
| ·半导体参数仪 | 第30-31页 |
| 第4章 p-SnO/n-Si 异质结器件制备方法探索 | 第31-42页 |
| ·p-n 结制备工艺探索 | 第31-36页 |
| ·P、N 型半导体层和电极层的制备 | 第31-32页 |
| ·p-n 结图形化处理 | 第32-36页 |
| ·退火处理 | 第36页 |
| ·p-n 结制备中遇到的问题及解决方案 | 第36-42页 |
| ·p-n 结制备的第一阶段 | 第38-40页 |
| ·p-n 结制备的第二阶段 | 第40-41页 |
| ·p-n 结制备的第三阶段 | 第41-42页 |
| 第5章 p-SnO/n-Si 异质结电学性能研究 | 第42-54页 |
| ·p-SnO/n-Si 异质结器件性能优化 | 第42-48页 |
| ·退火温度对器件的电流-电压特性影响探究 | 第42-45页 |
| ·退火气氛对器件的电流-电压特性影响探究 | 第45-46页 |
| ·金属电极材料对器件的电流—电压特性影响 | 第46-47页 |
| ·p 型氧化亚锡薄膜厚度对器件的电流-电压特性影响 | 第47-48页 |
| ·p-SnO/n-Si 异质结器件电学性能分析 | 第48-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第6章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |