| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·分子印迹技术（MIT） | 第9-12页 |
| ·分子印迹聚合物的制备原理 | 第9-12页 |
| ·分子印迹聚合物的应用 | 第12页 |
| ·化学修饰电极 | 第12-13页 |
| ·分子印迹聚合物修饰电极 | 第13-19页 |
| ·分子印迹聚合物性质对修饰电极性能的影响 | 第13-14页 |
| ·分子印迹聚合物修饰电极的制备 | 第14-17页 |
| ·分子印迹聚合物修饰电极的表征 | 第17-19页 |
| ·分子印迹聚合物及其修饰电极的发展趋势 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究工作 | 第20-22页 |
| 第二章 L-色氨酸与功能单体的相互作用研究 | 第22-36页 |
| ·前言 | 第22页 |
| ·实验部分 | 第22-24页 |
| ·主要试剂及仪器 | 第22-23页 |
| ·紫外吸收光谱的测定 | 第23页 |
| ·荧光光谱的测定 | 第23-24页 |
| ·pH 值对 L-Trp、L-Trp-AM 荧光强度的影响 | 第24页 |
| ·预组装时间的测定 | 第24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-34页 |
| ·紫外光谱法分析 L-Trp 与 AM 的相互作用 | 第24-27页 |
| ·荧光光谱法分析 L-Trp 与 AM 的相互作用 | 第27-33页 |
| ·pH 值对 Trp、L-Trp-AM 荧光的影响 | 第33页 |
| ·预组装时间对 L-Trp 荧光的影响 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 L-色氨酸印迹膜修饰电极的制备 | 第36-56页 |
| ·前言 | 第36页 |
| ·实验部分 | 第36-40页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第36-38页 |
| ·电极的预处理 | 第38页 |
| ·L-色氨酸印迹膜修饰电极的制备 | 第38页 |
| ·印迹分子的洗脱 | 第38-39页 |
| ·印迹电极性能的电化学表征 | 第39页 |
| ·电导率的测定 | 第39-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-54页 |
| ·印迹膜修饰电极制备方法的选择 | 第40-45页 |
| ·印迹分子洗脱方法的选择 | 第45-46页 |
| ·电聚合工艺对印迹膜修饰电极性能的影响 | 第46-54页 |
| ·总结 | 第54-56页 |
| 第四章 L-色氨酸印迹膜修饰电极的性能及表征 | 第56-72页 |
| ·前言 | 第56页 |
| ·实验部分 | 第56-59页 |
| ·试剂与仪器 | 第56-57页 |
| ·氨基酸标准曲线的测定 | 第57-58页 |
| ·电化学检测步骤 | 第58-59页 |
| ·荧光光谱检测吸附性能 | 第59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-70页 |
| ·印迹膜修饰电极的电化学表征 | 第59-62页 |
| ·印迹膜修饰电极对 L-色氨酸的响应性 | 第62-63页 |
| ·印迹膜修饰电极吸附性能 | 第63页 |
| ·印迹膜修饰电极对底物的选择性 | 第63-66页 |
| ·印迹膜识别过程动力学 | 第66-68页 |
| ·印迹膜的溶胀性 | 第68-69页 |
| ·印迹电极响应的重现性和稳定性 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 个人简介及研究成果 | 第81页 |
