| 目录 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-11页 |
| ABSTRACT | 第11-17页 |
| 第一部分 绪论 | 第17-31页 |
| 一、晶体生长理论研究的历史与现状 | 第17-18页 |
| 二、AFM在晶体生长研究中的应用 | 第18-23页 |
| 三、本论文的研究对象简介 | 第23-24页 |
| 四、本论文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-31页 |
| 第二部分 LAP晶体表面形貌与生长机理研究 | 第31-84页 |
| 第一章 LAP晶体典型的生长台阶、生长丘和二维核形貌 | 第31-43页 |
| 一、实验部分 | 第31-32页 |
| 1.原料的合成 | 第31-32页 |
| 2.LAP样品的准备 | 第32页 |
| 3.实验设备 | 第32页 |
| 二、实验结果与讨论 | 第32-40页 |
| 1.生长台阶 | 第32-35页 |
| 2.生长丘 | 第35-37页 |
| 3.二维核 | 第37-38页 |
| 4.结果讨论 | 第38-40页 |
| ·各向异性生长形貌的结构渊源 | 第38-39页 |
| ·生长丘上台阶的聚并 | 第39-40页 |
| ·椭圆生长丘上的圆形生长层 | 第40页 |
| 三、小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第二章 LAP晶体生长机理探讨 | 第43-52页 |
| 一、实验部分 | 第43页 |
| 二、实验结果与讨论 | 第43-49页 |
| 1.t=40℃,σ=0.04下的生长形貌 | 第43页 |
| 2.t=40℃,σ=0.3下的生长形貌 | 第43-44页 |
| 3.t=40℃,σ=0.5下的生长形貌 | 第44-45页 |
| 4.结果讨论 | 第45-47页 |
| 5.t=25℃,σ=0.06下的生长形貌 | 第47-48页 |
| 6.t=25℃,σ=0.32下的生长形貌 | 第48页 |
| 7.结果讨论 | 第48-49页 |
| 三、小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第三章 LAP晶体{100}解理面的原始及再生长形貌 | 第52-68页 |
| 一、LAP晶体{100}解理面的原始形貌 | 第52-57页 |
| 1.LAP晶体解理的结构原因 | 第52-53页 |
| 2.实验部分 | 第53页 |
| 3.实验结果与讨论 | 第53-57页 |
| ·台阶形貌 | 第53-55页 |
| ·解理面上的位错 | 第55-57页 |
| 二、LAP晶体{100}解理面的再生长形貌 | 第57-60页 |
| 1.实验部分 | 第57页 |
| 2.实验结果与讨论 | 第57-60页 |
| ·生长时间为10秒时的形貌 | 第57-59页 |
| ·生长时间为70秒时的形貌 | 第59-60页 |
| 三、LAP晶体{100}解理面实时生长研究 | 第60-64页 |
| 1.实验部分 | 第60-61页 |
| 2.实验结果与讨论 | 第61-64页 |
| 四、小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第四章 溶液环境对LAP晶体生长形貌和机理的影响 | 第68-84页 |
| 一、掺Cu~(2+)的LAP晶体的表面形貌与生长机理 | 第68-73页 |
| 1.实验部分 | 第68-69页 |
| 2.实验结果与讨论 | 第69-73页 |
| ·台阶形貌 | 第69-72页 |
| ·缺陷 | 第72-73页 |
| 二、含过量L-精氨酸溶液中LAP晶体表面形貌与生长机理 | 第73-77页 |
| 1.实验部分 | 第73页 |
| 2.实验结果与讨论 | 第73-77页 |
| ·二维成核生长 | 第73-75页 |
| ·位错生长 | 第75-76页 |
| ·台阶的杂质分界点 | 第76-77页 |
| 三、氚化LAP晶体的表面形貌与生长机理 | 第77-79页 |
| 1.实验部分 | 第77页 |
| 2.实验结果与讨论 | 第77-79页 |
| 四、小结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第三部分 MMTC晶体表面形貌与生长机理研究 | 第84-115页 |
| 第一章 MMTC晶体表面形貌与生长机理研究 | 第84-104页 |
| 一、40℃溶剂蒸发法生长MMTC晶体的表面形貌 | 第84-88页 |
| 1.实验部分 | 第84-85页 |
| ·MMTC原料的合成 | 第84-85页 |
| ·样品准备与实验设备 | 第85页 |
| ·MMTC晶体样品形貌 | 第85页 |
| 2.实验结果与讨论 | 第85-88页 |
| 二、t=40℃,σ=0.5下的生长形貌 | 第88-92页 |
| 1.实验部分 | 第88页 |
| 2.实验结果与讨论 | 第88-92页 |
| ·成组出现的生长丘 | 第88-90页 |
| ·疏密相间排列的基台阶 | 第90-92页 |
| 三、pH=1,t=40℃,σ=0.4下的生长形貌 | 第92-96页 |
| 1.实验部分 | 第92页 |
| 2.实验结果与讨论 | 第92-96页 |
| ·复杂位错源的产生 | 第92-94页 |
| ·微晶的形成 | 第94-96页 |
| 四、pH=6,t=25℃,溶剂蒸发法生长MMTC晶体的表面形貌 | 第96-99页 |
| 1.实验部分 | 第96页 |
| 2.实验结果与讨论 | 第96-99页 |
| ·生长丘的取向 | 第96-98页 |
| ·台阶局部聚并 | 第98-99页 |
| 五、小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-104页 |
| 第二章 MMTC晶体生长缺陷研究 | 第104-115页 |
| 一、实验部分 | 第104页 |
| 二、实验结果与讨论 | 第104-112页 |
| 1.空洞缺陷 | 第104-106页 |
| 2.管道缺陷与溶液包裹体 | 第106-109页 |
| 3.位错生长与裂纹 | 第109-110页 |
| 4.腐蚀实验 | 第110-112页 |
| 三、小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-115页 |
| 第四部分 总结 | 第115-119页 |
| 一、主要结论 | 第115-117页 |
| 二、本论文的主要创新点 | 第117-118页 |
| 三、有待深入研究的问题 | 第118-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第120-123页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第123页 |
