| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·中红外激光产生技术及其进展 | 第11-16页 |
| ·CEP 稳定的超短中红外激光技术及其进展 | 第16-18页 |
| ·本文的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 光参量放大基本理论 | 第19-35页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·三波混频耦合波理论 | 第19-22页 |
| ·二阶非线性相互作用 | 第19-20页 |
| ·三波混频的耦合波方程 | 第20-22页 |
| ·相位匹配 | 第22-28页 |
| ·周期极化晶体的相位匹配 | 第24-26页 |
| ·双轴晶体的相位匹配 | 第26-28页 |
| ·光参量放大过程中的群速匹配和走离效应 | 第28-32页 |
| ·群速匹配 | 第28页 |
| ·时间走离效应 | 第28-31页 |
| ·空间走离效应 | 第31-32页 |
| ·非线性晶体长度的选取 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 第三章 载波包络相位的稳定与测量技术 | 第35-47页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·载波包络相位简介 | 第35-38页 |
| ·载波包络相位稳定技术 | 第38-43页 |
| ·电路反馈自参考技术 | 第38-39页 |
| ·全光控制技术 | 第39-43页 |
| ·载波包络相位的测量技术 | 第43-45页 |
| ·不同级次谐波之间的光谱干涉测量法 | 第43-44页 |
| ·f-2f 自参考技术测量法 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第四章 基于相干合成的单周期中红外脉冲产生技术 | 第47-63页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·相干合成技术 | 第47-49页 |
| ·基于相干合成 CEP 稳定的单周期中红外脉冲产生技术 | 第49-54页 |
| ·理论模型 | 第49-50页 |
| ·数值计算 | 第50-54页 |
| ·合成光束的波形优化 | 第54-61页 |
| ·二阶自相关 | 第54-55页 |
| ·利用自相关曲线对合成光束的波形分析 | 第55-61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结及展望 | 第63-65页 |
| ·论文总结 | 第63-64页 |
| ·工作展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-75页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第75页 |