| 中文摘要 | 第1-16页 |
| Abstract | 第16-19页 |
| 一、绪论 | 第19-24页 |
| 二、试剂来源,材料表征手段及催化性能评价反应 | 第24-29页 |
| (一) 主要原料和试剂 | 第24-25页 |
| (二) 材料表征手段 | 第25-27页 |
| (三) 催化性能评价反应 | 第27-28页 |
| 1. 正己烯环氧化反应 | 第27页 |
| 2. 苯酚羟基化反应 | 第27-28页 |
| (四) 专有名词,缩略语,样品标注及数据计算 | 第28-29页 |
| 三、介孔硅胶球原位晶化合成TS-1球状单块催化剂 | 第29-84页 |
| (一) 引言 | 第29-33页 |
| 1. 为什么要研究TS-1的成型技术 | 第29-30页 |
| 2. 无粘结剂沸石单块催化剂的合成方法 | 第30-32页 |
| (1) 母液中组装成型 | 第30页 |
| (2) 单块干胶转换 | 第30页 |
| (3) 单块液相晶化 | 第30-31页 |
| (4) 小结 | 第31-32页 |
| 3. 选题思路 | 第32-33页 |
| (二) 实验部分 | 第33-37页 |
| (三) 浸渍-干胶转换法合成 | 第37-48页 |
| 1. 浸渍法合成Silicalite-1球状单块 | 第37-40页 |
| (1) 浸渍导向胶Sg(TEOS-80)作为SDA | 第37-39页 |
| (2) 浸渍TPAOH和TPABr水溶液作为SDA | 第39-40页 |
| 2. 浸渍法合成TS-1球状单块 | 第40-47页 |
| (1) 单次浸渍Ti-SDA | 第40-42页 |
| (2) 二次浸渍SDA | 第42-44页 |
| (3) 二次晶化 | 第44-47页 |
| 3. 总结 | 第47-48页 |
| (四) TEOS补硅,常规TS-1水热合成 | 第48-51页 |
| (五) 辅助溶剂,低水硅比水热合成 | 第51-71页 |
| 1. 辅助助溶剂种类及用量的影响 | 第53-57页 |
| 2. TPABr的影响 | 第57-60页 |
| (1) TPABr有助于提高球体收率和机械强度 | 第57页 |
| (2) 过多TPABr降低产物结晶度 | 第57-59页 |
| (3) 小结 | 第59-60页 |
| 3. 陈化的影响 | 第60-67页 |
| 4. MSS粉末作为硅源 | 第67-70页 |
| 5. 总结 | 第70-71页 |
| (六) 发烟硅胶(F.S.)作为硅源合成TS-1 | 第71-78页 |
| (七) 酸洗除去硅胶球中的杂质元素 | 第78-80页 |
| 1. 盐酸 | 第78-79页 |
| 2. 有机酸 | 第79-80页 |
| (八) 挤条硅钛无定形凝胶原位晶化合成TS-1条 | 第80-83页 |
| 1. 蒸汽相来源的影响 | 第80页 |
| 2. 导向胶用量的影响 | 第80-82页 |
| 3. 硅溶胶(Si-sol)用量的影响 | 第82-83页 |
| (九) 结论 | 第83-84页 |
| 四、微米级TS-1的后处理改性 | 第84-156页 |
| (一) 引言 | 第84-90页 |
| 1. 钛活性位的争议 | 第84-86页 |
| 2. 羟基缺陷位对钛活性位催化性能的影响 | 第86-88页 |
| 3. 选题思路 | 第88-90页 |
| (二) 实验部分 | 第90-92页 |
| (三) 微米级TS-1母体 | 第92-95页 |
| (四) 碱性阴离子后处理改性方法 | 第95-127页 |
| 1. 阴离子源 | 第95-113页 |
| (1) 氟离子 | 第96-101页 |
| (2) 碳酸根离子 | 第101-107页 |
| (3) 醋酸根离子 | 第107-110页 |
| (4) 氯化钠 | 第110-111页 |
| (5) 小结——碱性阴离子断键循环机理 | 第111-113页 |
| 2. 阳离子源 | 第113-117页 |
| 3. 碱处理操作方式 | 第117-122页 |
| (1) 浸渍或研磨引入碱性盐 | 第117-118页 |
| (2) 液相或气相加热传质 | 第118-119页 |
| (3) 氨水产生碱性蒸汽相替代碱性盐 | 第119-121页 |
| (4) 小结——疏水孔道保护碱性盐 | 第121-122页 |
| 4. 总结——TS-1母体的普适性 | 第122-127页 |
| (五) 减少羟基缺陷位——反向调控改性处理 | 第127-138页 |
| 1. 直接焙烧与重新晶化 | 第127-130页 |
| 2. 介孔不直接影响催化活性 | 第130-135页 |
| 3. 苯酚羟基化活性 | 第135-137页 |
| 4. 总结——双向调节,量体裁衣 | 第137-138页 |
| (六) TS-1碱处理改性及反向调控改性的机理 | 第138-155页 |
| 1. 红外光谱960 cm~(-1)吸收峰的可逆变化 | 第138-140页 |
| 2. 碱处理对羟基缺陷位的影响 | 第140-151页 |
| (1) 表面孤立硅羟基物种减少 | 第140-143页 |
| (2) 对比开位和闭位钛活性位 | 第143-148页 |
| (3) 小结——间接证明生成不同结构的开位钛活性位 | 第148-151页 |
| 3. 改性过程中TS-1晶粒Si、Ti、Na含量的变化 | 第151-155页 |
| (七) 结论 | 第155-156页 |
| 五、本文的不足与展望 | 第156-158页 |
| 硕士期间科研成果 | 第158-159页 |
| 参考文献 | 第159-166页 |
| 致谢 | 第166页 |
