| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-37页 |
| ·硅基光电子学的提出与意义 | 第13-16页 |
| ·微电子工业的发展 | 第13-15页 |
| ·硅基光电子学 | 第15-16页 |
| ·硅基发光材料的研究进展 | 第16-25页 |
| ·硅的光学性质 | 第16-19页 |
| ·硅基发光材料的主要研究方向 | 第19-25页 |
| ·富硅氧化硅薄膜发光的研究进展 | 第25-30页 |
| ·掺硼富硅氧化硅薄膜发光的研究进展 | 第30-35页 |
| ·本论文的研究目的与意义 | 第35-37页 |
| 第三章 材料制备与测试设备 | 第37-41页 |
| ·样品的制备方法与设备 | 第37-38页 |
| ·衬底硅片的清洗 | 第37页 |
| ·直流磁控溅射设备 | 第37-38页 |
| ·射频磁控溅射设备 | 第38页 |
| ·热处理设备 | 第38页 |
| ·电极的制备 | 第38页 |
| ·样品的测试设备 | 第38-41页 |
| ·高分辨透射电镜 | 第38-39页 |
| ·X-射线光电子能谱 | 第39页 |
| ·椭偏光谱仪 | 第39页 |
| ·光学性能测试仪 | 第39-40页 |
| ·电学性能测试仪 | 第40-41页 |
| 第四章 本征SiO_x薄膜的光学性能研究 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·实验过程 | 第41页 |
| ·样品制备 | 第41页 |
| ·性能测试 | 第41页 |
| ·实验结果与讨论 | 第41-49页 |
| ·基本生长参数对本征SiO_x薄膜光学性能的影响 | 第42-44页 |
| ·热处理条件对本征SiO_x薄膜光学性能的影响 | 第44-46页 |
| ·富硅量对本征SiO_x薄膜光学性能的影响 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 本征SiO_x薄膜的电学性能研究 | 第51-59页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·实验过程 | 第51-52页 |
| ·样品制备 | 第51-52页 |
| ·性能测试 | 第52页 |
| ·实验结果与讨论 | 第52-57页 |
| ·900℃热处理时富硅量对本征SiO_x薄膜I-V性能的影响 | 第52-53页 |
| ·1100℃热处理时富硅量对本征SiO_x薄膜I-V性能的影响 | 第53-54页 |
| ·电学输运机制 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 硼掺杂对SiO_x薄膜光电性能的影响 | 第59-71页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·实验过程 | 第59页 |
| ·样品制备 | 第59页 |
| ·性能测试 | 第59页 |
| ·实验结果与讨论 | 第59-68页 |
| ·硼掺杂对SiO_x薄膜光学性能的影响 | 第60-61页 |
| ·硼掺杂对SiO_x薄膜电学性能的影响 | 第61-68页 |
| ·本章小结 | 第68-71页 |
| 第七章 全文总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 个人简历 | 第83-85页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第85页 |