摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-9页 |
第一章 绪论 | 第9-23页 |
·光催化分解水制氢的研究现状 | 第9-18页 |
·光催化分解水制氢的研究意义 | 第9-10页 |
·光催化分解水制氢的基本原理 | 第10-12页 |
·影响光催化制氢效率的影响因素 | 第12-13页 |
·提高光催化制氢效率的途径 | 第13-18页 |
·光催化水解制氢催化剂的研究进展 | 第18-21页 |
·氧化物光催化剂 | 第18-19页 |
·硫化物及硫氧化物光催化剂 | 第19-20页 |
·氮化物及氮氧化物光催化剂 | 第20页 |
·固溶体光催化剂 | 第20-21页 |
·本课题的研究目的、内容和创新点 | 第21-23页 |
·研究目的 | 第21页 |
·研究内容 | 第21-22页 |
·创新点 | 第22-23页 |
第二章 实验方法 | 第23-31页 |
·光催化剂的设计 | 第23-24页 |
·载体的选择 | 第23页 |
·活性组分的设计 | 第23-24页 |
·光催化剂的制备 | 第24-27页 |
·光催化剂制备方法的选择 | 第24-25页 |
·主要原料与试剂 | 第25页 |
·载体SiO_2的处理 | 第25-26页 |
·Cd_(1-x)Zn_xS/SiO_2复合半导体的制备 | 第26页 |
·金属改性的Cd_(1-x)Zn_xS/SiO_2复合半导体的制备 | 第26-27页 |
·光催化剂的表征方法 | 第27-29页 |
·X-射线衍射(XRD)分析 | 第27页 |
·X-射线光电子能谱(XPS)测试 | 第27页 |
·程序升温还原(TPR)表征 | 第27-28页 |
·紫外-可见漫反射光谱(UV-vis DRS) | 第28-29页 |
·光催化剂活性的评价方法 | 第29-31页 |
·紫外光照射下的活性评价 | 第29页 |
·模拟太阳光照射下的活性评价 | 第29-30页 |
·氢气生成速率的计算 | 第30-31页 |
第三章 复合效应对Cd_(1-x)Zn_xS/SiO_2制氢性能的影响 | 第31-50页 |
·Cd_(1-x)Zn_xS/SiO_2复合半导体的结构分析 | 第31-38页 |
·X射线衍射(XRD) | 第31-33页 |
·X射线光电子能谱(XPS) | 第33-36页 |
·程序升温还原(TPR) | 第36-38页 |
·Cd_(1-x)Zn_xS/SiO_2 复合半导体的光响应性能及能带结构 | 第38-42页 |
·Cd_(1-x)Zn_xS/SiO_2复合半导体的光响应性能 | 第38-39页 |
·Cd_(1-x)Zn_xS/SiO_2复合半导体的能带结构 | 第39-42页 |
·Cd_(1-x)Zn_xS/SiO_2复合半导体的活性测试 | 第42-47页 |
·组成对复合半导体活性的影响 | 第42-45页 |
·煅烧温度不同对复合半导体活性的影响 | 第45-47页 |
·固溶体光分解水制氢的反应机理推测 | 第47-49页 |
·小结 | 第49-50页 |
第四章 金属修饰对Cd_(0.8)Zn_(0.2)S/SiO_2制氢性能的影响 | 第50-62页 |
·金属修饰的Cd_(0.8)Zn_(0.2)S/SiO_2复合半导体的结构分析 | 第50-54页 |
·X-射线衍射(XRD) | 第50-51页 |
·程序升温还原(TPR) | 第51-54页 |
·金属修饰的Cd_(0.8)Zn_(0.2)S/SiO_2复合半导体的光响应性能 | 第54-58页 |
·紫外-可见漫反射(UV-vis DRS)光谱 | 第54-58页 |
·金属修饰的Cd_(0.8)Zn_(0.2)S/SiO_2复合半导体的活性测试 | 第58-60页 |
·紫外光照射下的产氢速率 | 第58-59页 |
·模拟太阳光照射下的产氢速率 | 第59-60页 |
·金属修饰的Cd_(0.8)Zn_(0.2)S/SiO_2复合半导体光解水制氢反应机理推测 | 第60-61页 |
·小结 | 第61-62页 |
第五章 光催化反应条件对氢气生成速率的影响 | 第62-70页 |
·反应温度的影响 | 第62-63页 |
·载气流速的影响 | 第63-65页 |
·甘油浓度的影响 | 第65-67页 |
·反应时间的影响 | 第67-68页 |
·小结 | 第68-70页 |
第六章 结论 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-78页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第78-79页 |
致谢 | 第79页 |