| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·Ti0_2 材料的结构和光催化原理 | 第10-14页 |
| ·Ti0_2晶体结构 | 第10-11页 |
| ·半导体材料的能带结构 | 第11-12页 |
| ·Ti0_2材料的光催化原理 | 第12-14页 |
| ·Ti0_2 材料的应用 | 第14-16页 |
| ·气敏传感器 | 第14页 |
| ·光电器件 | 第14-15页 |
| ·光催化剂 | 第15-16页 |
| ·本文主要安排 | 第16-17页 |
| 第二章 Ti0_2薄膜材料的制备方法及其研究现状 | 第17-23页 |
| ·薄膜材料的制备方法 | 第17-20页 |
| ·真空蒸发 | 第17页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第18页 |
| ·磁控溅射法 | 第18-19页 |
| ·溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第19页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第19-20页 |
| ·Ti0_2 材料的研究现状 | 第20-22页 |
| ·当前制备技术存在的问题 | 第20-21页 |
| ·Ti0_2光催化机理研究 | 第21页 |
| ·Ti0_2气敏性能研究 | 第21页 |
| ·染料敏化太阳能电池的研究(DSSC) | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 Ti0_2薄膜制备和薄膜退火处理 | 第23-30页 |
| ·PLD 方法制备Ti0_2薄膜 | 第23-26页 |
| ·PLD 设备简介 | 第23-24页 |
| ·基片的清洗 | 第24页 |
| ·薄膜制备的实验参数 | 第24页 |
| ·脉冲激光沉积制备薄膜的过程 | 第24-26页 |
| ·Ti0_2 薄膜退火处理 | 第26-29页 |
| ·退火炉简介 | 第26-27页 |
| ·温度控制器 | 第27-28页 |
| ·样品的退火过程 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 退火Ti0_2薄膜材料的结构形貌及光学性能 | 第30-39页 |
| ·Ti0_2 薄膜材料的结构分析 | 第30-33页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第30-31页 |
| ·退火对Ti0_2 薄膜结构的影响 | 第31-33页 |
| ·退火温度对Ti0_2 薄膜形貌特征的影响 | 第33-37页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
| ·原子力显微镜测定Ti0_2 薄膜形貌 | 第34-37页 |
| ·退火对Ti0_2 薄膜晶体粒径的影响 | 第37-38页 |
| ·Ti0_2 薄膜光学性能 | 第38-39页 |
| ·光谱仪 | 第38页 |
| ·Ti0_2 薄膜的光学性能 | 第38-39页 |
| 第五章 结论 | 第39-41页 |
| ·本文的主要内容 | 第39页 |
| ·不足和展望 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第47页 |