| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·GaN材料异质外延简介 | 第7-10页 |
| ·激光剥离技术的引入 | 第10-13页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 激光对GaN材料的影响 | 第14-28页 |
| ·实验准备 | 第14-16页 |
| ·激光照射GaN样品分析 | 第16-25页 |
| ·GaN/Sapphire的横截面结构 | 第25-28页 |
| 第三章 激光剥离过程 | 第28-42页 |
| ·激光剥离实质 | 第28-29页 |
| ·阈值能量 | 第29-30页 |
| ·激光剥离中金属Ga的去除 | 第30-31页 |
| ·不同蚀刻方法的比较 | 第31-32页 |
| ·激光剥离对界面温度的影响 | 第32-35页 |
| ·厚GaN膜的激光剥离 | 第35-36页 |
| ·薄GaN膜的激光剥离 | 第36-38页 |
| ·GaN异质结构器件的分离 | 第38-42页 |
| 第四章 激光剥离前后器件光电性能分析 | 第42-45页 |
| ·激光剥离前后器件的光学性能对比 | 第42-43页 |
| ·激光剥离前后器件的电学特性 | 第43-45页 |
| 总结 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |