| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·光伏产业的发展概况 | 第9-10页 |
| ·太阳能电池 | 第10-15页 |
| ·太阳能电池工作原理 | 第10-11页 |
| ·不同的太阳能电池 | 第11-15页 |
| ·太阳能电池的基本特性 | 第15-18页 |
| ·太阳能电池的等效电路 | 第15-16页 |
| ·伏安特性曲线 | 第16页 |
| ·太阳电池的输出功率 | 第16-17页 |
| ·填充因子 | 第17页 |
| ·光电转换效率 | 第17页 |
| ·温度对太阳电池的影响 | 第17-18页 |
| ·铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池 | 第18-25页 |
| ·铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池的发展 | 第18-19页 |
| ·铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池的典型结构 | 第19-20页 |
| ·吸收层 CuInSe_2薄膜及其制备方法 | 第20-23页 |
| ·CdS 薄膜的制备方法 | 第23-24页 |
| ·存在问题及发展方向 | 第24-25页 |
| ·本论文研究的内容和目的 | 第25-26页 |
| 第二章 化学水浴法(CBD)制备硫化镉(CdS)薄膜材料 | 第26-63页 |
| ·CdS 薄膜的基本特性和作用 | 第26-27页 |
| ·化学水浴法简介 | 第27页 |
| ·化学水浴沉积法成膜原理 | 第27-29页 |
| ·CBD 法制备 CdS 薄膜的配方 | 第27-28页 |
| ·CBD 法制备 CdS 薄膜的反应原理 | 第28-29页 |
| ·CdS 薄膜的表征 | 第29-34页 |
| ·扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析 | 第29-31页 |
| ·X-ray 衍射仪(XRD) | 第31-32页 |
| ·721 型分光光度计 | 第32-33页 |
| ·台阶仪 | 第33-34页 |
| ·化学水浴沉积法制备 CdS 薄膜 | 第34-61页 |
| ·实验装置 | 第34-35页 |
| ·实验方案 | 第35-39页 |
| ·衬底的清洗 | 第36-37页 |
| ·溶液的配制 | 第37-38页 |
| ·薄膜的沉积过程 | 第38-39页 |
| ·薄膜的热处理 | 第39页 |
| ·薄膜厚度计算和检测 | 第39-41页 |
| ·薄膜厚度的计算(称重法) | 第39-40页 |
| ·薄膜厚度的 SEM 检测 | 第40-41页 |
| ·CBD 法制备 CdS 薄膜的相关参数与影响 | 第41-61页 |
| ·退火温度对 CdS 薄膜的影响 | 第42-47页 |
| ·镉盐浓度对 CdS 薄膜的影响 | 第47-52页 |
| ·氨水浓度对 CdS 薄膜的影响 | 第52-57页 |
| ·离子浓度比对 CdS 薄膜的影响 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第三章 涂覆法制备吸收层薄膜材料 | 第63-75页 |
| ·涂覆法制备 CIS 类膜层 | 第63-65页 |
| ·机械合金法制备 CIS 类光伏粉体材料 | 第63-64页 |
| ·涂覆法制备 CIS 类膜层 | 第64-65页 |
| ·涂层的退火 | 第65页 |
| ·制备 CIS/CdS 膜层结构 | 第65页 |
| ·CIS 膜层性能的表征 | 第65-67页 |
| ·膜层厚度检测 | 第65-66页 |
| ·方块电阻 | 第66页 |
| ·膜层电阻 | 第66-67页 |
| ·膜层光电流 | 第67页 |
| ·膜层厚度检测结果与分析 | 第67-68页 |
| ·退火对涂覆样品的影响 | 第68-70页 |
| ·表面形貌和成分分析 | 第68-70页 |
| ·物相分析 | 第70页 |
| ·CIS 和 CIAS 涂层电阻率的检测 | 第70-72页 |
| ·膜层的电阻率 | 第70-71页 |
| ·膜层的层间电阻和表面电阻 | 第71-72页 |
| ·CIS / CdS 及 CIAS / CdS 双层膜光电流的检测及分析 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第四章 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 期间发表的学术论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |