大孔硅通道列阵光电化学腐蚀机理研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-6页
目录	第6-7页
第一章 绪论	第7-15页
·大孔硅通道列阵及加工技术	第7-9页
·大孔硅硅通道列阵的应用	第9-12页
·大孔硅通道列阵光电化学腐蚀加工技术	第12-13页
·本论文研究的主要内容及意义	第13-15页
第二章 大孔硅通道列阵光电化学腐蚀原理	第15-26页
·多孔硅形成的基本原理	第15-17页
·大孔硅通道列阵光电化学腐蚀技术的基本原理	第17-20页
·大孔硅通道列阵光电化学腐蚀过程中的输运机理	第20-26页
第三章 大孔硅通道阵列光电化学加工工艺及实验优化	第26-50页
·大孔硅通道列阵加工工艺流程	第26-28页
·诱导坑及欧姆接触层制作工艺优化	第28-31页
·大孔硅通道列阵光电化学腐蚀工艺优化	第31-48页
·小结	第48-50页
第四章 大孔硅通道列阵结构释放技术	第50-60页
·硅通道板结构释放工艺流程	第50页
·大孔硅通道列阵背部减薄技术	第50-53页
·化学机械抛光技术	第53-56页
·硅片清洗技术与扩孔工艺	第56-59页
·小结	第59-60页
结论	第60-61页
致谢	第61-62页
参考文献	第62-64页
附录	第64页