| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| ·显示技术的发展 | 第14-20页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管简介 | 第20-22页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管应用于显示技术的优越性 | 第20页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管及低温多晶硅制备工艺 | 第20-22页 |
| ·器件模型概述 | 第22-23页 |
| ·热载流子与多晶硅薄膜晶体管可靠性 | 第23-25页 |
| ·论文组织与结构 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 多晶硅薄膜晶体管表面势的一维分析研究 | 第30-61页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·基于一维分析的多晶硅薄膜晶体管表面势数值模型 | 第31-35页 |
| ·基于一维分析的多晶硅薄膜晶体管表面势解析模型 | 第35-41页 |
| ·强反型、弱反型时,多晶硅薄膜晶体管表面势的分段解析模型 | 第35-39页 |
| ·强反型、弱反型时,多晶硅薄膜晶体管表面势的统一解析模型 | 第39-41页 |
| ·器件模型诸参数对模型的影响 | 第41-51页 |
| ·基于一维分析,考虑硅-二氧化硅界面电荷的多晶硅薄膜晶体管表面势 | 第51-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第三章 多晶硅薄膜晶体管表面势的准二维分析研究 | 第61-90页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·高栅电压、低漏电压条件下强反型的多晶硅薄膜晶体管沟道势近似解析模型 | 第62-73页 |
| ·高栅电压、低漏电压条件下强反型的多晶硅薄膜晶体管沟道势近似解析模型推导 | 第62-65页 |
| ·高栅电压、低漏电压条件下强反型的多晶硅薄膜晶体管沟道势近似解析模型验证 | 第65-73页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管表面势的准二维分析 | 第73-85页 |
| ·强反型时,相对较高栅电压、较低漏电压条件下,多晶硅薄膜晶体管表面势的准二维分析 | 第73-80页 |
| ·弱反型时,多晶硅薄膜晶体管表面势的准二维分析 | 第80-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 第四章 热载流子应力下金属诱导横向结晶n型氢化多晶硅薄膜晶体管的场致关态电流模型研究 | 第90-106页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·基于金属诱导横向结晶工艺的多晶硅薄膜晶体管的制备 | 第90-91页 |
| ·Poole-Frenkel(P-F)模型与场致关态电流 | 第91-95页 |
| ·基于金属诱导横向结晶n型氢化多晶硅薄膜晶体管场致关态电流的热载流子应力实验介绍 | 第95-96页 |
| ·热载流子应力下金属诱导横向结晶n型氢化多晶硅薄膜晶体管的场致关态电流特性研究 | 第96-99页 |
| ·热载流子应力下金属诱导横向结晶n型氢化多晶硅薄膜晶体管的场致关态电流模型研究 | 第99-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-106页 |
| 第五章 热载流子应力下金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管的热产生关态电流模型研究 | 第106-124页 |
| ·引言 | 第106页 |
| ·基于金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管热产生关态电流的热载流子应力实验介绍 | 第106-107页 |
| ·热载流子应力下耗尽区调制效应对金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管的热产生关态电流的影响 | 第107-114页 |
| ·热载流子应力下缺陷增加效应对金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管的热产生关态电流的影响 | 第114-120页 |
| ·本章小结 | 第120页 |
| 参考文献 | 第120-124页 |
| 第六章 结论 | 第124-127页 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128页 |
