| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章引言 | 第9-27页 |
| ·过渡金属氧化物的物理基础 | 第9-15页 |
| ·Mott 绝缘体 | 第10-11页 |
| ·Mott 绝缘体的分类 | 第11-13页 |
| ·掺杂Mott 绝缘体 | 第13-15页 |
| ·LaTiO(3+x)概述 | 第15-21页 |
| ·物质结构及相图 | 第16-17页 |
| ·La-Ti-O 体系的强关联性质 | 第17-19页 |
| ·La-Ti-O 体系的电子输运特性 | 第19-20页 |
| ·LaTiO_(3+x)薄膜的制备 | 第20-21页 |
| ·Nd-Ti-O 体系研究概述 | 第21-24页 |
| ·结构 | 第21-22页 |
| ·输运性质 | 第22-24页 |
| ·Nd-Ti-O 体系的应用研究 | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章实验方法 | 第27-56页 |
| ·薄膜沉积 | 第27-44页 |
| ·薄膜制备技术 | 第27-32页 |
| ·集成反射式高能电子衍射（RHEED）的脉冲激光沉积技术 | 第32-44页 |
| ·靶材烧结 | 第44页 |
| ·薄膜结构分析 | 第44-46页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第44-45页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第45-46页 |
| ·光刻技术 | 第46-48页 |
| ·输运性能测试 | 第48-54页 |
| ·电阻测量 | 第49-50页 |
| ·Hall 测量 | 第50-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章LaTiO_(3+x)薄膜的制备与性能测试 | 第56-85页 |
| ·我们工作的出发点 | 第56-57页 |
| ·LaTiO_(3+x)薄膜的制备 | 第57-58页 |
| ·结构分析 | 第58-66页 |
| ·多晶陶瓷靶的结构分析 | 第58-60页 |
| ·LaTiO_(3+x)薄膜的X 射线衍射分析 | 第60-61页 |
| ·LaTiO_(3+x)薄膜原位RHEED表征 | 第61-62页 |
| ·LaTiO_(3+x)薄膜的XPS 表征 | 第62-66页 |
| ·输运性能测试 | 第66-83页 |
| ·电阻随温度的变化曲线 | 第66-77页 |
| ·中温区域的电阻率随温度的变化曲线 | 第66-72页 |
| ·低温区域电阻率的变化 | 第72-74页 |
| ·高温下的电阻率曲线 | 第74-77页 |
| ·Hall 测量 | 第77-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第四章Nd-Ti-O 体系的输运性能及其在氧化物ｐ－ｎ结中的应用 | 第85-96页 |
| ·我们工作的研究动机 | 第85页 |
| ·实验及结果 | 第85-95页 |
| ·NdTiO_(3.5) 靶的烧结 | 第85-87页 |
| ·NdTiO_3 掺Sr 薄膜的制备 | 第87-93页 |
| ·锰氧化物p-n 结的制备 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-96页 |
| 结论 | 第96-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 作者在读期间科研成果简介 | 第101-102页 |