| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-34页 |
| ·电介质及其性能表征 | 第16-18页 |
| ·电介质的极化 | 第16-17页 |
| ·性能表征参数 | 第17-18页 |
| ·聚合物基高介电复合材料的介电常数的理论模型 | 第18-23页 |
| ·高介电常数复合材料的实现途径 | 第23-31页 |
| ·原材料的选择 | 第23-25页 |
| ·基材的选择 | 第23-24页 |
| ·填充材料的选择 | 第24-25页 |
| ·原材料的改性 | 第25-26页 |
| ·基体材料的改性 | 第25页 |
| ·陶瓷材料的改性 | 第25-26页 |
| ·复合体系的选择 | 第26-28页 |
| ·两相复合体系 | 第26-27页 |
| ·三相复合体系 | 第27-28页 |
| ·纳米复合技术 | 第28页 |
| ·复合材料制备工艺 | 第28-30页 |
| ·常规共混法 | 第28-29页 |
| ·原位聚合法 | 第29页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第29-30页 |
| ·成膜工艺 | 第30-31页 |
| ·旋转涂敷法 | 第30页 |
| ·流延法 | 第30页 |
| ·热塑成型法 | 第30-31页 |
| ·课题的提出及其意义 | 第31-32页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 材料的选择、制备和测试的基本方法 | 第34-42页 |
| ·材料的选择 | 第34-36页 |
| ·陶瓷粉体的选择 | 第34页 |
| ·基体相的选择 | 第34-36页 |
| ·所选材料的基本性能 | 第36-39页 |
| ·BT的介电性能 | 第36-38页 |
| ·PI的介电性能 | 第38-39页 |
| ·BT/PI复合薄膜的制备流程 | 第39-40页 |
| ·性能测试 | 第40-42页 |
| ·试验仪器列表 | 第40页 |
| ·介电常数的测试方法 | 第40页 |
| ·击穿强度的测试方法 | 第40-41页 |
| ·交流电阻率的测试方法 | 第41-42页 |
| 第三章 复合工艺对BT/PI纳米复合薄膜介电性能的影响 | 第42-49页 |
| ·实验 | 第42-44页 |
| ·原料的选取 | 第42页 |
| ·样品的制备工艺 | 第42-44页 |
| ·溶液混合法 | 第42-43页 |
| ·原位聚合法 | 第43-44页 |
| ·表征方法 | 第44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-47页 |
| ·PAA对BT表面的原位改性 | 第44-45页 |
| ·溶液共混法制得BT/PI纳米复合薄膜的介电性能 | 第45-46页 |
| ·原位聚合法制得BT/PI纳米复合薄膜的介电性能 | 第46页 |
| ·溶液混合法和原位聚合法的比较 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 原位聚合法制备BT/PI纳米复合薄膜的结构与性能 | 第49-65页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·原料的选取 | 第49页 |
| ·样品的制备工艺 | 第49-50页 |
| ·表征方法 | 第50页 |
| ·实验结果与讨论 | 第50-64页 |
| ·BT/PI纳米复合薄膜的显微结构 | 第50-51页 |
| ·BT/PI纳米复合薄膜的界面结构 | 第51-56页 |
| ·BT/PI纳米复合薄膜的XRD表征 | 第56-57页 |
| ·BT/PI纳米复合薄膜的介电性能 | 第57-59页 |
| ·BT/PI纳米复合薄膜的介电常数的线性模拟 | 第59-60页 |
| ·BT/PI纳米复合薄膜的耐压性能 | 第60-62页 |
| ·BT/PI纳米复合薄膜的耐温性能 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 原位聚合法的工艺优化 | 第65-71页 |
| ·实验 | 第65页 |
| ·原位聚合法工艺的优化 | 第65页 |
| ·实验结果与讨论 | 第65-70页 |
| ·亚胺化对BT/PI纳米复合薄膜显微结构的影响 | 第66-67页 |
| ·亚胺化过程对BT/PI纳米复合薄膜介电常数的影响 | 第67-68页 |
| ·亚胺化过程对BT/PI纳米复合薄膜介电损耗的影响 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 作者简介和攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77-78页 |
| 硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第78-79页 |
