摘要 | 第1-10页 |
Abstract | 第10-13页 |
第一章 绪论 | 第13-29页 |
·纳米和纳米科技的基本内涵和发展历史 | 第13-16页 |
·纳米和纳米科技的基本内涵 | 第14-15页 |
·纳米科技的发展历史 | 第15-16页 |
·纳米材料 | 第16-25页 |
·纳米材料的定义及其特性 | 第16-19页 |
·纳米材料的分类 | 第19页 |
·纳米材料的制备方法 | 第19-23页 |
·半导体纳米材料 | 第23-25页 |
·本论文选题思路及主要工作 | 第25-27页 |
参考文献 | 第27-29页 |
第二章 样品的制备方法和表征手段 | 第29-44页 |
·Ti_(1-x)Co_xO_2和V_2O_5薄膜的制备方法 | 第29-31页 |
·溶胶-凝胶过程和部分电荷模型(partial-charge model) | 第29-30页 |
·溶胶-凝胶法制膜工艺 | 第30-31页 |
·水热法制备一维纳米材料 | 第31-34页 |
·水热合成 | 第32-33页 |
·水热合成程序 | 第33-34页 |
·纳米粒子合成的动力学过程简析 | 第34-37页 |
·成核 | 第34-35页 |
·生长 | 第35页 |
·Ostwald熟化和稳定 | 第35-37页 |
·样品的表征手段 | 第37-41页 |
·X射线衍射技术 | 第37页 |
·电子显微镜 | 第37-38页 |
·红外光谱 | 第38-39页 |
·Raman散射光谱 | 第39-40页 |
·光致发光光谱(PL) | 第40页 |
·X射线光电子能谱(XPS) | 第40-41页 |
·样品制备和表征所需的仪器 | 第41-42页 |
参考文献 | 第42-44页 |
第三章 稀磁半导体Ti_(1-x)Co_xO_2纳米薄膜的制备及其性质表征 | 第44-73页 |
·引言 | 第44-55页 |
·自旋电子学 | 第44-45页 |
·半导体自旋电子学 | 第45-48页 |
·TiO_2基稀磁半导体 | 第48-51页 |
·物质的磁性 | 第51-55页 |
·小结 | 第55页 |
·实验 | 第55-57页 |
·Ti_(1-x)Co_xO_2薄膜的结构相变 | 第57-58页 |
·金红石相Ti_(1-x)Co_xO_2薄膜的结构和光学性质 | 第58-66页 |
·金红石相Ti_(1-x)Co_xO_2薄膜的磁学性质 | 第66-68页 |
·本章总结 | 第68页 |
参考文献 | 第68-73页 |
第四章 一维Co掺杂TiO_2纳米材料的制备及其特性研究 | 第73-95页 |
·引言 | 第73-74页 |
·Co掺杂TiO_2纳米管阵列的制备和表征 | 第74-81页 |
·实验 | 第74页 |
·Co掺杂TiO_2纳米管阵列的结构和磁学性质 | 第74-81页 |
·Co掺杂钛酸纳米管的制备和表征 | 第81-90页 |
·实验 | 第81页 |
·Co掺杂钛酸纳米管的结构和磁学性质 | 第81-90页 |
·本章总结 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-95页 |
第五章 V_2O_5薄膜的制备及其结构特性 | 第95-110页 |
·引言 | 第95-99页 |
·镁二次电池 | 第95-97页 |
·镁二次电池正极材料 | 第97-98页 |
·V_2O_5 | 第98-99页 |
·实验 | 第99-100页 |
·结果与分析 | 第100-107页 |
·本章总结 | 第107-108页 |
参考文献 | 第108-110页 |
第六章 钒氧化物纳米管的制备及其特性研究 | 第110-135页 |
·引言 | 第110-111页 |
·水热法制备钒氧化物纳米管 | 第111-120页 |
·实验 | 第111-112页 |
·结果与分析 | 第112-119页 |
·小结 | 第119-120页 |
·钒氧化物纳米管的热稳定性研究 | 第120-127页 |
·实验 | 第120页 |
·结果与讨论 | 第120-127页 |
·小结 | 第127页 |
·Co离子置换的钒氧化物纳米管的合成 | 第127-131页 |
·实验 | 第127-128页 |
·结果与讨论 | 第128-131页 |
·小结 | 第131页 |
·本章总结 | 第131-132页 |
参考文献 | 第132-135页 |
第七章 VO_2(B)纳米材料的制备及其结构特性 | 第135-149页 |
·引言 | 第135-137页 |
·延长水热反应时间对纳米管结构的影响以及VO_2(B)纳米材料的生成 | 第137-144页 |
·实验 | 第137页 |
·结果与讨论 | 第137-144页 |
·小结 | 第144页 |
·二次水热处理对纳米管结构的影响以及VO_2(B)纳米带的生成 | 第144-147页 |
·实验 | 第144-145页 |
·结果与讨论 | 第145-147页 |
·小结 | 第147页 |
·本章总结 | 第147页 |
参考文献 | 第147-149页 |
第八章 钒氧化物纳米带的制备及其结构特性 | 第149-160页 |
·引言 | 第149-150页 |
·实验 | 第150页 |
·结果与分析 | 第150-157页 |
·本章总结 | 第157-158页 |
参考文献 | 第158-160页 |
第九章 结论与展望 | 第160-164页 |
·本论文的主要研究内容与结论 | 第160-162页 |
·Co掺杂的TiO_2稀磁半导体系统 | 第160-161页 |
·VO_x系统 | 第161-162页 |
·展望 | 第162-164页 |
·Co掺杂的TiO_2稀磁半导体系统 | 第162-163页 |
·VO_x系统 | 第163-164页 |
攻读博士学位期间发表及已投出的学术论文 | 第164-165页 |
致谢 | 第165-166页 |