多核金属铁氰化物的不同方法制备及其表征
| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| ·过渡金属铁氰化物薄膜修饰电极 | 第10-19页 |
| ·过渡金属铁氰化物的结构和性质 | 第11-13页 |
| ·过渡金属铁氰化物薄膜修饰电极的制备 | 第13-16页 |
| ·多核过渡金属铁氰化物薄膜修饰电极的应用 | 第16-18页 |
| ·多核过渡金属铁氰化物薄膜修饰电极发展的新趋向 | 第18-19页 |
| ·多核过渡金属铁氰化物薄膜修饰电极的展望 | 第19页 |
| ·稀土金属元素 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究目的、意义和内容 | 第20-21页 |
| ·参考文献: | 第21-35页 |
| 第二章 铁氰化钆的化学方法制备及固态电化学 | 第35-48页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-44页 |
| ·GdHCF的谱学表征 | 第37-39页 |
| ·GdHCF的固态电化学 | 第39-42页 |
| ·GdHCF/SG电极的电催化 | 第42-44页 |
| ·结论 | 第44页 |
| ·参考文献 | 第44-48页 |
| 第三章 铁氰化钆的电化学制备及表征 | 第48-57页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验部分 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| ·参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 氧化铝模板的制备及表征 | 第57-67页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·实验过程 | 第58-59页 |
| ·模板基片的制备 | 第58页 |
| ·AAO基片进行一次氧化 | 第58页 |
| ·AAO基片进行二次氧化 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-64页 |
| ·电压的影响 | 第59-60页 |
| ·氧化时间的影响 | 第60-61页 |
| ·温度的影响 | 第61-62页 |
| ·一次氧化与二次氧化 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第64页 |
| ·参考文献: | 第64-67页 |
| 第五章 纳米铁氰化钴的模板法制备及其表征 | 第67-86页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·实验部分 | 第68-72页 |
| ·AAO和CoHCF纳米管的制备 | 第68-71页 |
| ·仪器表征 | 第71-72页 |
| ·结果和讨论 | 第72-79页 |
| ·结论 | 第79页 |
| ·参考文献: | 第79-86页 |
| 附录 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
