| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| ·氮化硼的结构 | 第13-16页 |
| ·氮化硼的四种异构体 | 第13-15页 |
| ·h-BN的性质 | 第15-16页 |
| ·c-BN的结构、性质及应用前景 | 第16-19页 |
| ·c-BN的结构 | 第16-17页 |
| ·c-BN的性质及应用前景 | 第17-19页 |
| ·c-BN薄膜的研究进展 | 第19-20页 |
| ·c-BN薄膜的制备和标识 | 第20-26页 |
| ·c-BN薄膜的制备方法 | 第22-24页 |
| ·c-BN薄膜的标识方法 | 第24-26页 |
| ·c-BN薄膜制备中存在的问题 | 第26-28页 |
| ·黏附性问题 | 第26-27页 |
| ·非立方相存在问题 | 第27页 |
| ·成核和生长机理问题 | 第27-28页 |
| ·重复性和外延生长问题 | 第28页 |
| ·本文研究内容 | 第28-29页 |
| 第2章 射频溅射制备立方氮化硼薄膜 | 第29-51页 |
| ·射频溅射原理 | 第29-35页 |
| ·辉光放电 | 第29-31页 |
| ·溅射机理 | 第31-32页 |
| ·溅射镀膜 | 第32-35页 |
| ·射频溅射系统 | 第35-36页 |
| ·实验过程 | 第36-38页 |
| ·衬底清洗 | 第36-37页 |
| ·样品制备 | 第37页 |
| ·成分鉴定 | 第37-38页 |
| ·两步法制备立方氮化硼薄膜 | 第38-40页 |
| ·实验 | 第38页 |
| ·结果和分析 | 第38-40页 |
| ·衬底温度对制备立方氮化硼薄膜的影响 | 第40-44页 |
| ·实验 | 第40页 |
| ·结果与分析 | 第40-44页 |
| ·三步法制备立方氮化硼薄膜 | 第44-49页 |
| ·实验 | 第44-45页 |
| ·理论分析 | 第45-47页 |
| ·第一步中溅射时间对立方氮化硼成核的影响 | 第47-48页 |
| ·第一步中衬底负偏压对立方氮化硼成核的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第3章 氮化硼薄膜沉积过程中的相变研究 | 第51-65页 |
| ·氮化硼各相之间的转变 | 第51-57页 |
| ·相转变 | 第52-53页 |
| ·h-BN→w-BN和r-BN→c-BN的相变过程 | 第53-55页 |
| ·h-BN→c-BN的相变过程 | 第55-57页 |
| ·缺陷对制备c-BN薄膜的影响 | 第57-61页 |
| ·缺陷对h-BN→r-BN转变的影响 | 第58-59页 |
| ·缺陷对r-BN→c-BN转变的影响 | 第59-61页 |
| ·结束语 | 第61页 |
| ·退火温度对c-BN薄膜中立方相含量的影响 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第4章 c-BN薄膜的光学特性 | 第65-81页 |
| ·薄膜样品透射比和反射比理论公式 | 第65-69页 |
| ·光电磁波从空气入射到固体表面的反射和透射 | 第65-67页 |
| ·薄膜样品的透射比和反射比 | 第67-69页 |
| ·BN薄膜的光吸收 | 第69-71页 |
| ·直接跃迁 | 第69-70页 |
| ·间接跃迁 | 第70页 |
| ·BN薄膜的吸收系数 | 第70-71页 |
| ·紫外反射光谱计算BN薄膜的光学带隙和折射率 | 第71-77页 |
| ·折射率和消光系数表达式 | 第71-72页 |
| ·振幅反射系数相位θ(λ)的计算 | 第72-73页 |
| ·实验 | 第73页 |
| ·结果与讨论 | 第73-77页 |
| ·紫外反射、透射光谱计算BN薄膜光学带隙 | 第77-80页 |
| ·吸收系数计算公式 | 第77页 |
| ·实验 | 第77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第5章 立方氮化硼薄膜的n型掺杂研究 | 第81-113页 |
| ·异质结相关原理 | 第81-85页 |
| ·异质结及其能带结构 | 第81-83页 |
| ·异质结的相关公式 | 第83-85页 |
| ·掺杂机理与实验过程 | 第85-88页 |
| ·实验过程 | 第85-86页 |
| ·掺杂机理 | 第86-88页 |
| ·n-BN薄膜表面电阻率 | 第88-93页 |
| ·h-BN薄膜n型掺杂后表面电阻率 | 第88-90页 |
| ·c-BN薄膜n型掺杂后表面电阻率 | 第90-93页 |
| ·c-BN/Si n-p异质结的I-V特性研究 | 第93-97页 |
| ·c-BN/Si n-p异质结的伏安特性 | 第94-95页 |
| ·注入剂量对薄膜异质结伏安特性的影响 | 第95-97页 |
| ·c-BN/Si n-p异质结C-V特性研究 | 第97-106页 |
| ·MIS结构电容－电压特性 | 第98-103页 |
| ·Al/c-BN/Si系统的C-V特性 | 第103-106页 |
| ·c-BN薄膜内杂质浓度的计算 | 第106-109页 |
| ·c-BN/Si n-p薄膜异质结的能带结构 | 第109-111页 |
| ·c-BN/Si n-p薄膜异质结的能带结构 | 第109-111页 |
| ·c-BN/Si n-p薄膜异质结能带的相关分析 | 第111页 |
| ·本章小节 | 第111-113页 |
| 第6章 氮化硼薄膜的p型掺杂研究 | 第113-123页 |
| ·实验 | 第113页 |
| ·p型BN薄膜表面电阻率 | 第113-118页 |
| ·注入剂量对BN(p型)薄膜表面电阻率的影响 | 第113-115页 |
| ·退火温度对BN(p型)薄膜表面电阻率的影响 | 第115-117页 |
| ·BN薄膜中立方相含量对表面电阻率的影响 | 第117-118页 |
| ·BN/Si p-p薄膜异质结电学性质 | 第118-122页 |
| ·立方相含量对BN/Si p-p薄膜异质结正向伏安特性的影响 | 第119-121页 |
| ·注入剂量对BN/Si p-p薄膜异质结正向伏安特性的影响 | 第121页 |
| ·退火温度对BN/Si p-p薄膜异质结正向伏安特性的影响 | 第121-122页 |
| ·本章小节 | 第122-123页 |
| 结论 | 第123-127页 |
| 参考文献 | 第127-135页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第135-136页 |
| 致谢 | 第136页 |
