基于CA模型的单晶硅各向异性腐蚀微观模拟
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·问题的提出 | 第8-9页 |
| ·硅腐蚀技术 | 第9-11页 |
| ·硅各向异性腐蚀模拟技术的研究现状 | 第11-15页 |
| ·本课题的主要工作 | 第15-16页 |
| 2 硅单晶各向异性腐蚀机理及其CA模型 | 第16-25页 |
| ·单晶硅的结构特征 | 第16-18页 |
| ·晶胞、晶面及晶向 | 第16-17页 |
| ·低指数晶面的结构特性 | 第17-18页 |
| ·单晶硅各向异性腐蚀机理 | 第18-21页 |
| ·元胞自动机简介 | 第21-23页 |
| ·一维细胞原动机 | 第22页 |
| ·二维元胞自动机 | 第22页 |
| ·三维元胞自动机 | 第22-23页 |
| ·硅各向异性腐蚀模拟的CA模型 | 第23-25页 |
| ·普通CA算法 | 第23页 |
| ·随机CA算法 | 第23页 |
| ·连续CA算法 | 第23-24页 |
| ·动态CA算法 | 第24-25页 |
| 3 三维动态连续CA模型建立和微观模拟 | 第25-53页 |
| ·腐蚀规则的确立 | 第25-26页 |
| ·模拟应用软件的选取 | 第26-28页 |
| ·Visual C++面向对象程序设计 | 第26-27页 |
| ·OpenGL显示技术 | 第27-28页 |
| ·基于静态存储方式的硅各向异性腐蚀模拟 | 第28-34页 |
| ·硅衬底模型的建立 | 第28-31页 |
| ·基于静态存储方法的腐蚀算法实现 | 第31-34页 |
| ·基于动静态结合的存储方式模拟 | 第34-42页 |
| ·硅原子的表示方法 | 第35-36页 |
| ·硅衬底的存储方式 | 第36-38页 |
| ·腐蚀过程描述 | 第38-42页 |
| ·腐蚀算法的时空效率 | 第42页 |
| ·硅各向异性腐蚀的微观模拟 | 第42-53页 |
| ·模型参数的输入 | 第42-47页 |
| ·腐蚀过程的模拟 | 第47页 |
| ·腐蚀结果显示与保存 | 第47-53页 |
| 4 台面凸角切削分析及补偿设计 | 第53-72页 |
| ·台面直角切削分析和补偿设计 | 第53-58页 |
| ·台面直角切削模拟分析 | 第53-55页 |
| ·台面直角切削补偿设计 | 第55-58页 |
| ·腐蚀工艺和流程 | 第58-60页 |
| ·单晶硅氧化 | 第58页 |
| ·光刻和显影 | 第58-60页 |
| ·台面直角补偿微观模拟及实验验证 | 第60-69页 |
| ·正方形补偿设计验证 | 第60-61页 |
| ·方形组合的补偿结构设计 | 第61-67页 |
| ·三角形补偿结构设计 | 第67-69页 |
| ·台面非直角切削现象分析 | 第69-72页 |
| ·五角星掩膜图形实验结果和模拟结果 | 第69-70页 |
| ·圆形掩膜图形实验分析和模拟验证 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 附录A 程序代码 | 第77-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第83页 |
