物性参数对硅单晶CZ法生长过程影响的全局数值分析
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 主要符号表 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| ·问题的提出 | 第10-11页 |
| ·半导体材料综述 | 第11-12页 |
| ·元素半导体 | 第11-12页 |
| ·化合物半导体 | 第12页 |
| ·半导体材料制备概述 | 第12-16页 |
| ·溶液中生长晶体 | 第13页 |
| ·熔体中生长晶体 | 第13-16页 |
| ·磁场在直拉法中的应用 | 第16-18页 |
| ·直拉法(CZ 法)研究现状 | 第18-24页 |
| ·无磁场的研究 | 第18-21页 |
| ·磁控直拉法的研究情况 | 第21-24页 |
| ·新的生长技术及物性参数研究 | 第24-25页 |
| ·本课题研究方法及研究内容 | 第25-27页 |
| ·本课题研究方法及目的 | 第25页 |
| ·本课题研究内容 | 第25-27页 |
| 2 数学物理模型的建立 | 第27-32页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·物理模型及相关假设 | 第27-28页 |
| ·数学模型及其简化 | 第28-32页 |
| ·控制方程组 | 第28-29页 |
| ·定解条件 | 第29-32页 |
| 3 数值求解 | 第32-44页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·有限单元法简介和网格选取 | 第32-34页 |
| ·数值计算方法 | 第34-42页 |
| ·坐标变换和插值函数 | 第35-36页 |
| ·单元变分计算方程 | 第36-41页 |
| ·高斯数值积分 | 第41-42页 |
| ·计算求解步骤 | 第42-44页 |
| 4 模拟结果与分析 | 第44-69页 |
| ·熔体导热系数影响 | 第44-49页 |
| ·熔体发射率影响 | 第49-53页 |
| ·熔解热影响 | 第53-57页 |
| ·熔体密度影响 | 第57-58页 |
| ·熔体粘度系数影响 | 第58-62页 |
| ·熔体表面张力温度系数影响 | 第62-69页 |
| 5 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第75-76页 |
