| 第一章 文献综述 | 第1-20页 |
| 引 言 | 第6-8页 |
| ·单组分II-VI族硫属半导体纳米材料的研究 | 第8-12页 |
| ·国外研究进展 | 第8-11页 |
| ·国内研究进展 | 第11-12页 |
| ·II-VI族硫属半导体复合纳米材料的研究 | 第12-20页 |
| ·国外研究进展 | 第13-17页 |
| ·国内研究进展 | 第17-20页 |
| 第二章 实验部分 | 第20-26页 |
| ·主要仪器设备 | 第20页 |
| ·主要试剂 | 第20页 |
| ·主要溶液配制过程 | 第20-21页 |
| ·Se源前驱体的配制 | 第20-21页 |
| ·Cd源前驱体的制备 | 第21页 |
| ·Zn源和S源前驱体的制备 | 第21页 |
| ·实验方法 | 第21-22页 |
| ·CdSe纳米粒子的合成方法 | 第21-22页 |
| ·ZnS的生成和包裹 | 第22页 |
| ·CdS的生成和包裹 | 第22页 |
| ·实验原理 | 第22-24页 |
| ·CdSe的生成原理 | 第22-23页 |
| ·CdS或者ZnS的包裹原理 | 第23-24页 |
| ·复合粒子的性能表征 | 第24-26页 |
| ·形貌尺寸表征 | 第24页 |
| ·吸收光谱性能测试 | 第24-25页 |
| ·荧光光谱性能测试 | 第25-26页 |
| 第三章 实验结果与讨论 | 第26-44页 |
| ·CdSe纳米粒子合成条件的选择 | 第26-28页 |
| ·合成方式的选择 | 第26-27页 |
| ·合成材料的选择 | 第27页 |
| ·加料方式的选择 | 第27-28页 |
| ·复合纳米粒子CdSe-ZnS合成条件的选择 | 第28-31页 |
| ·稳定剂的选择 | 第28-29页 |
| ·Cd的前驱体浓度的选择 | 第29-31页 |
| ·对复合纳米粒子CdSe-ZnS的确认 | 第31-34页 |
| ·复合粒子CdSe-ZnS的浓度对其荧光强度的影响 | 第34页 |
| ·乙醇浓度对复合纳米粒子CdSe-ZnS荧光强度的影响 | 第34-36页 |
| ·老化时间对复合粒子CdSe-ZnS的荧光强度影响 | 第36-37页 |
| ·对复合纳米粒子CdSe-CdS的研究 | 第37-42页 |
| ·复合纳米粒子CdSe-CdS合成时Cd总用量的选择 | 第37-41页 |
| ·Cd的总用量对复合纳米粒子CdSe-CdS吸收光谱的影响 | 第41页 |
| ·Cd的总用量对复合纳米粒子CdSe-CdS荧光光谱的影响 | 第41-42页 |
| ·小 结 | 第42-44页 |
| 第四章 总结与展望 | 第44-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 摘要 | 第54-57页 |
| Abstract | 第57-59页 |
