钛酸锶基多功能压敏陶瓷制备工艺及性能研究
摘要 | 第1-4页 |
ABSTRCT | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-28页 |
·压敏陶瓷的分类 | 第8-10页 |
·氧化锌压敏材料 | 第8-9页 |
·二氧化钛压敏材料 | 第9页 |
·钛酸锶压敏材料 | 第9-10页 |
·钛酸锶压敏电阻的应用 | 第10-12页 |
·微型电机用环状变阻器 | 第11页 |
·在电源输入端的应用 | 第11页 |
·用于吸收感性负载开关浪涌 | 第11页 |
·用作旁路电容器 | 第11-12页 |
·用于双向可控硅保护 | 第12页 |
·钛酸锶陶瓷的研究现状 | 第12-17页 |
·钛酸锶陶瓷半导化研究 | 第12-13页 |
·晶界绝缘化 | 第13-15页 |
·晶界结构与晶界势垒模型 | 第15-17页 |
·烧结过程 | 第17页 |
·SRTIO_3压敏电阻国内外发展现状 | 第17-20页 |
·国内研制及生产钛酸锶压敏电阻的情况 | 第18-19页 |
·钛酸锶电阻的市场现状 | 第19-20页 |
·SRTIO_3压敏电阻器的影响因素 | 第20-23页 |
·添加成份对材料性能的影响 | 第20页 |
·粉料粒度对材料性能的影响 | 第20-21页 |
·烧结气氛对材料性能的影响 | 第21页 |
·Ti/Sr对材料性能影响 | 第21-22页 |
·烧结温度对材料性能的影响 | 第22页 |
·氧化温度对材料性能的影响 | 第22页 |
·成型工艺的影响 | 第22-23页 |
·后热处理温度的影响 | 第23页 |
·小结 | 第23页 |
·SRTIO_3压敏陶瓷材料的生产方法 | 第23-24页 |
·二次烧成法 | 第23页 |
·一次烧成法 | 第23-24页 |
·分析与讨论 | 第24页 |
·目前存在的问题及未来的发展趋势 | 第24-26页 |
·掺杂改性 | 第24页 |
·改进工艺 | 第24-25页 |
·多功能化 | 第25页 |
·参数系列化 | 第25页 |
·开发低维材料 | 第25-26页 |
·本课题研究目的、意义及课题来源 | 第26-27页 |
·本课题研究的主要内容 | 第27-28页 |
第二章 压敏陶瓷基础理论 | 第28-40页 |
·压敏陶瓷的概念和物理原理 | 第28-30页 |
·压敏陶瓷的物理参数 | 第30-32页 |
·非线性系数(α) | 第30页 |
·压敏电压V-I^ | 第30-31页 |
·介电损耗tanδ | 第31页 |
·漏电流(I_L) | 第31页 |
·耐浪涌能力 | 第31页 |
·蜕变 | 第31-32页 |
·压敏电阻器温度系数 | 第32页 |
·材料常数(C) | 第32页 |
·理论基础 | 第32-40页 |
·微观结构及理论模型 | 第32-34页 |
·半导化 | 第34-35页 |
·化学计量比偏离 | 第35页 |
·掺杂 | 第35-36页 |
·电容性 | 第36-37页 |
·压敏性 | 第37页 |
·晶界势垒 | 第37-40页 |
第三章 实验过程 | 第40-45页 |
·实验原料 | 第40-41页 |
·实验设备 | 第41-42页 |
·工艺过程 | 第42-45页 |
第四章 结果与讨论 | 第45-76页 |
·制备工艺的探索 | 第45-47页 |
·生产方法 | 第45页 |
·烧结气氛的探索 | 第45-47页 |
·施主掺杂研究 | 第47-61页 |
·实验配方 | 第47-48页 |
·结果与分析 | 第48-58页 |
·烧结温度对电学性能的影响 | 第58-61页 |
·小结 | 第61页 |
·施主掺杂的进一步研究 | 第61-65页 |
·实验配方 | 第61页 |
·结果与讨论 | 第61-65页 |
·小结 | 第65页 |
·受主CuO的掺入 | 第65-69页 |
·实验配方 | 第65-66页 |
·结果与分析 | 第66-68页 |
·小结 | 第68-69页 |
·纳米参杂改性 | 第69-76页 |
·实验配方 | 第69页 |
·纳米掺杂剂的制备 | 第69-72页 |
·结果与分析 | 第72-76页 |
第五章 结论 | 第76-77页 |
致谢 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-85页 |