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钛酸锶基多功能压敏陶瓷制备工艺及性能研究

摘要第1-4页
ABSTRCT第4-8页
第一章 绪论第8-28页
   ·压敏陶瓷的分类第8-10页
     ·氧化锌压敏材料第8-9页
     ·二氧化钛压敏材料第9页
     ·钛酸锶压敏材料第9-10页
   ·钛酸锶压敏电阻的应用第10-12页
     ·微型电机用环状变阻器第11页
     ·在电源输入端的应用第11页
     ·用于吸收感性负载开关浪涌第11页
     ·用作旁路电容器第11-12页
     ·用于双向可控硅保护第12页
   ·钛酸锶陶瓷的研究现状第12-17页
     ·钛酸锶陶瓷半导化研究第12-13页
     ·晶界绝缘化第13-15页
     ·晶界结构与晶界势垒模型第15-17页
     ·烧结过程第17页
   ·SRTIO_3压敏电阻国内外发展现状第17-20页
     ·国内研制及生产钛酸锶压敏电阻的情况第18-19页
     ·钛酸锶电阻的市场现状第19-20页
   ·SRTIO_3压敏电阻器的影响因素第20-23页
     ·添加成份对材料性能的影响第20页
     ·粉料粒度对材料性能的影响第20-21页
     ·烧结气氛对材料性能的影响第21页
     ·Ti/Sr对材料性能影响第21-22页
     ·烧结温度对材料性能的影响第22页
     ·氧化温度对材料性能的影响第22页
     ·成型工艺的影响第22-23页
     ·后热处理温度的影响第23页
     ·小结第23页
   ·SRTIO_3压敏陶瓷材料的生产方法第23-24页
     ·二次烧成法第23页
     ·一次烧成法第23-24页
     ·分析与讨论第24页
   ·目前存在的问题及未来的发展趋势第24-26页
     ·掺杂改性第24页
     ·改进工艺第24-25页
     ·多功能化第25页
     ·参数系列化第25页
     ·开发低维材料第25-26页
   ·本课题研究目的、意义及课题来源第26-27页
   ·本课题研究的主要内容第27-28页
第二章 压敏陶瓷基础理论第28-40页
   ·压敏陶瓷的概念和物理原理第28-30页
   ·压敏陶瓷的物理参数第30-32页
     ·非线性系数(α)第30页
     ·压敏电压V-I^第30-31页
     ·介电损耗tanδ第31页
     ·漏电流(I_L)第31页
     ·耐浪涌能力第31页
     ·蜕变第31-32页
     ·压敏电阻器温度系数第32页
     ·材料常数(C)第32页
   ·理论基础第32-40页
     ·微观结构及理论模型第32-34页
     ·半导化第34-35页
     ·化学计量比偏离第35页
     ·掺杂第35-36页
     ·电容性第36-37页
     ·压敏性第37页
     ·晶界势垒第37-40页
第三章 实验过程第40-45页
   ·实验原料第40-41页
   ·实验设备第41-42页
   ·工艺过程第42-45页
第四章 结果与讨论第45-76页
   ·制备工艺的探索第45-47页
     ·生产方法第45页
     ·烧结气氛的探索第45-47页
   ·施主掺杂研究第47-61页
     ·实验配方第47-48页
     ·结果与分析第48-58页
     ·烧结温度对电学性能的影响第58-61页
     ·小结第61页
   ·施主掺杂的进一步研究第61-65页
     ·实验配方第61页
     ·结果与讨论第61-65页
     ·小结第65页
   ·受主CuO的掺入第65-69页
     ·实验配方第65-66页
     ·结果与分析第66-68页
     ·小结第68-69页
   ·纳米参杂改性第69-76页
     ·实验配方第69页
     ·纳米掺杂剂的制备第69-72页
     ·结果与分析第72-76页
第五章 结论第76-77页
致谢第77-78页
参考文献第78-85页

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