低电压电泳芯片的研究
| 1 绪论 | 第1-16页 |
| 1．1 引言 | 第8页 |
| 1．2 微型机电系统 | 第8-9页 |
| 1．3 微型全分析系统 | 第9-10页 |
| 1．4 电泳芯片的国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1．5 本论文的意义及主要研究内容 | 第14-15页 |
| 1．6 本章小结 | 第15-16页 |
| 2 电泳芯片低电压分离的运动梯度场模型 | 第16-45页 |
| 2．1 引言 | 第16页 |
| 2．2 毛细管电泳的相关理论 | 第16-21页 |
| 2．2．1 双电层和Zeta电势 | 第16-18页 |
| 2．2．2 电泳和淌度 | 第18-20页 |
| 2．2．3 电渗 | 第20-21页 |
| 2．3 电泳芯片的结构及原理 | 第21-23页 |
| 2．4 电泳芯片相对于传统毛细管电泳的优点 | 第23-24页 |
| 2．5 电泳芯片的理论模型 | 第24-29页 |
| 2．5．1 分离迁移时间 | 第24页 |
| 2．5．2 区带方差 | 第24-27页 |
| 2．5．3 分离效率 | 第27-28页 |
| 2．5．4 分离度 | 第28-29页 |
| 2．6 电压和有效迁移长度对电泳芯片效率的影响 | 第29-30页 |
| 2．7 电泳芯片低电压分离的运动梯度场思想 | 第30-32页 |
| 2．8 低电压运动梯度场模型 | 第32-34页 |
| 2．9 低电压运动梯度场控制方法 | 第34-37页 |
| 2．10 低电压电泳芯片的效率 | 第37-39页 |
| 2．11 影响低电压电泳芯片效率的因素 | 第39-44页 |
| 2．12 本章小结 | 第44-45页 |
| 3 低电压电泳芯片的设计 | 第45-68页 |
| 3．1 低电压电泳芯片的设计要求 | 第45-46页 |
| 3．2 分离设计 | 第46-49页 |
| 3．3 进样设计 | 第49-55页 |
| 3．4 控制设计 | 第55-57页 |
| 3．5 检测设计 | 第57-62页 |
| 3．6 缓冲池设计 | 第62-63页 |
| 3．7 低电压电泳芯片的总体结构 | 第63-64页 |
| 3．8 低电压电泳芯片分离过程的计算机模拟 | 第64-67页 |
| 3．9 本章小结 | 第67-68页 |
| 4 低电压电泳芯片的研制 | 第68-87页 |
| 4．1 材料选择 | 第68页 |
| 4．2 工艺方案讨论 | 第68-71页 |
| 4．3 工艺设计 | 第71-74页 |
| 4．4 版图设计 | 第74-75页 |
| 4．5 单项工艺实验 | 第75-79页 |
| 4．5．1 干法刻蚀多晶硅 | 第75-78页 |
| 4．5．2 硅-玻璃键合 | 第78-79页 |
| 4．6 电泳芯片的制作 | 第79-81页 |
| 4．7 单片机控制电路 | 第81-86页 |
| 4．7．1 设计原则 | 第81页 |
| 4．7．2 硬件设计 | 第81-84页 |
| 4．7．3 软件设计 | 第84-85页 |
| 4．7．4 电路调试 | 第85-86页 |
| 4．8 本章小结 | 第86-87页 |
| 5 低电压电泳芯片实验结果及分析 | 第87-96页 |
| 5．1 实验系统 | 第87-88页 |
| 5．2 实验方法 | 第88页 |
| 5．3 实验结果及分析 | 第88-95页 |
| 5．3．1 微沟道的伏安特性 | 第88-90页 |
| 5．3．2 电泳分离分析 | 第90-95页 |
| 5．4 本章小结 | 第95-96页 |
| 6 结论 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-104页 |
| 附录 | 第104-105页 |
